過去兩天，韓國基準指數KOSPI跌幅均超過10%，創下2008年以來最大兩日跌幅。

市場普遍認為，特朗普對伊朗動武引發的全球資金避險情緒，令包括韓國在內的亞洲股市承受了慘烈的跌幅。然而，有最新分析指出，英偉達為韓國慘跌也做了「貢獻」。

一則關於英偉達的技術傳聞對韓國內存股造成了精準打擊。據韓國Citrini7分析師Jukan引述獨立分析機構KIS的評論，有報道稱英偉達正在開發一種利用Groq片上SRAM架構的新型推理芯片，並計劃在3月的GTC大會上公布。

這一消息導致韓國內存股走弱，投資者擔憂SRAM的使用會減少對包括HBM在內的主內存的需求。

不過韓國股市今日出現了強勁反彈。最新行情顯示，韓國KOSPI指數今日漲幅擴大至11%，科技巨頭三星電子大漲13%，SK海力士飆升15%。

SRAM推理芯片衝擊HBM、DRAM？可能誤判了

然而，市場可能誤判了SRAM推理芯片的衝擊。

KIS明確指出：「聲稱‘低成本’SRAM推理芯片的出現將減少HBM等現有主內存使用的觀點，反映了對內存的糟糕理解。」

從物理特性來看，SRAM的單元面積更大，密度低於DRAM，導致其每比特成本顯著更高。對於相同容量，SRAM通常需要DRAM 5到10倍的裸片面積。因此，SRAM歷史上一直用於需要極低延遲的緩存或片上緩衝應用，而非作為存儲大量數據的主內存。

SRAM或將推動內存層級多元化

SRAM架構並非DRAM的替代品，而是一個獨立的選項。與DRAM相比，以SRAM為中心的架構具有訪問延遲低得多和數據移動最小化的優勢。

KIS分析稱，英偉達計劃利用Groq架構，是為了針對GPU難以處理的特定推理工作負載進行優化。採用SRAM架構應被理解為針對需要超低延遲的特定數據中心工作負載，以及需要實時響應的物理AI邊緣應用（如機器人和自動駕駛）的獨特選擇。事實上，OpenAI已經在其數據中心部署了Cerebras的SRAM芯片，基於這些芯片構建的推理服務收取比標準GPU推理服務更高的API費用。

隨着AI產業的進步，基於Groq的SRAM架構的普及將進一步細分AI基礎設施內的內存層級。HBM和DRAM將繼續作為大規模模型訓練和通用推理服務器的主內存。KIS總結道：「涵蓋SRAM、HBM和DRAM的內存層級將變得越來越具有多層次性，最終推動整個內存行業總潛在市場（TAM）的擴張。」