異動解讀|Roundhill Memory ETF夜盤上漲6.15%,機構全面上修存儲芯片報價疊加供需持續緊張

行情直擊
06/08

6月8日,Roundhill Memory ETF夜盤上漲6.15%,報59.22美元,成交額3278.24萬美元。

消息面上,近期存儲芯片行業利好密集釋放。TrendForce集邦諮詢全面上修一季度存儲器合約價預期,整體Conventional DRAM合約價季增幅度從此前的55%-60%大幅上調至90%-95%,NAND Flash合約價從季增33%-38%上調至55%-60%,且不排除進一步上修空間。Arm首席執行官亦公開表示存儲芯片供需持續緊張,高盛預計緊張態勢將延續至2028年。行業層面,當前DRAM缺口約8%、NAND缺口約5%,AI與數據中心需求持續擊穿供需平衡,原廠議價能力升至近年頂峯,存儲行業正步入量價齊升的強勢周期。

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