異動解讀 | Roundhill Memory ETF盤中大跌5.01%,受美股存儲芯片股集體跳水拖累

異動解讀
05/19

Roundhill Memory ETF(代碼:DRAM)今日盤中大幅下跌5.01%,引起了市場的廣泛關注。

消息面上,美股存儲芯片板塊今日普遍遭遇重挫,希捷科技、閃迪、西部數據、美光科技等主要存儲芯片公司股價均出現顯著下跌。這主要源於美伊談判傳來利空消息,加劇了市場對全球地緣政治緊張局勢的擔憂,進而打擊了科技股尤其是半導體板塊的風險偏好。

此外,有市場分析指出,在人工智能(AI)需求拉動存儲芯片價格暴漲後,部分投資者開始擔憂行業收入增長可能正在接近峯值。存儲行業通常具有強周期性特徵,市場擔心在需求強勁推動價格上漲和供應增加後,未來可能出現訂單放緩和供應過剩,從而壓制價格和盈利水平,這種擔憂情緒也加劇了板塊的拋售壓力。

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