專注於內存芯片行業的Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）在今日盤前交易時段大漲5.27%，表現強勁。

消息面上，人工智能（AI）基礎設施需求的爆發式增長，持續驅動對存儲芯片，尤其是高帶寬內存（HBM）的強勁需求。高盛等多家頂級投行發布報告指出，存儲芯片行業正經歷從強周期性大宗商品向AI基礎設施戰略資源的範式轉變，估值框架有望從市淨率（P/B）切換至市盈率（P/E），並因此上調了包括三星、SK海力士在內的行業巨頭目標價。

此外，行業動態顯示，AI競賽日益「以內存為中心」，為確保供應，大型客戶正積極搶籤長期採購協議（LTA），這增強了市場對存儲芯片行業盈利能見度和穩定性的預期。同時，有表現優異的科技基金明確表示押注存儲芯片龍頭，看好供應收緊帶來的盈利增長前景，共同推動了資金涌入相關投資標的。