Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤前大漲5.09%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，全球存儲芯片行業正處於由人工智能（AI）驅動的超級周期之中。據行業預測，全球DRAM需求增速遠超供給增速，導致供需缺口持續擴大。與此同時，頭部存儲芯片企業業績暴增，印證了行業的高景氣度。供給端方面，主要廠商的產能利用率已接近上限，而高端產品如HBM（高帶寬內存）進一步擠壓了傳統DRAM的產量，新增產能的投放存在滯後，短期內供給緊張的格局難以逆轉，這支撐了價格的上漲趨勢。

市場對內存行業未來景氣度的預期持續升溫，資金看好該賽道的發展前景，從而推動了追蹤內存行業的Roundhill Memory ETF的價格上漲。