5月22日，英諾賽科大漲15%，公司從事氮化鎵功率半導體產品銷售業務，報道指納微半導體與英偉達合作中氮化鎵和碳化硅技術將發揮關鍵作用；其它半導體板塊跟隨走高，華虹半導體、上海復旦、黑芝麻智能漲超2%。

消息面上，納微半導體美股盤後暴漲超200%。當地時間5月21日，納微半導體宣佈與英偉達合作開發下一代800伏高壓直流（HVDC）架構，爲包括Rubin Ultra在內的GPU提供支持的“Kyber”機架級系統供電。據悉，納微半導體專注於下一代功率半導體技術，致力於開發高性能的氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件。納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術可在一定程度上大幅提升“Kyber”機架級系統的能效比、散熱管理和系統可靠性，將在與英偉達的合作中發揮關鍵作用。

公開資料顯示，英諾賽科是一家致力於第三代半導體硅基氮化鎵（GaN-on-Si）研發與產業化的高新技術企業，採用IDM模式，集芯片設計、外延生長、芯片製造、封測於一體。該公司上月發佈了自主開發的1200V氮化鎵(GaN)產品，該款產品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場景優勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優勢，有助於進一步推動能源轉換系統的效率提升和小型化，可廣泛應用於新能源汽車、工業以及AI數據中心等領域。