Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤中大幅上漲5.22%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，存儲芯片板塊普遍走強。核心驅動因素包括AI需求爆發導致的存儲芯片極度緊缺，以及主要供應商產能中斷風險的緩解。據報道，全球多家科技巨頭正以罕見方式向存儲芯片巨頭SK海力士提出出資建設專屬產線甚至購買光刻機設備的提議，以鎖定AI芯片供應，這凸顯了在AI浪潮推動下存儲芯片需求的旺盛和供給的緊張。

與此同時，另一存儲芯片巨頭三星電子的勞資談判取得重要進展，雙方已恢復談判並進入調解程序，這顯著降低了市場對於潛在罷工導致產能中斷的擔憂。這些因素共同強化了市場對存儲芯片行業進入「超級周期」的預期，推動了以內存芯片為投資主題的Roundhill Memory ETF的價格上漲。