Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤中大幅上漲5.03%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，存儲芯片行業基本面表現極為強勁。據最新數據顯示，韓國5月前20天DRAM出口額按年飆升498%，反映出全球AI基礎設施投資浪潮下，存儲芯片需求持續爆發。與此同時，行業研究機構群智諮詢預測，2026年第二季度全球存儲芯片市場將延續超級周期，價格繼續上行，其中消費電子用DRAM供應緊張局面未緩解。此外，全球存儲芯片龍頭三星電子成功避免了潛在的罷工危機，穩定了市場對供應鏈的預期，也提振了投資者情緒。

綜合來看，在AI算力需求主導產能分配、行業供需格局持續緊張的背景下，存儲芯片市場景氣度高漲，直接推動了追蹤該行業的Roundhill Memory ETF價格走強。