7月6日， 英特爾盤前升逾3%。英特爾正在評估一套面向1.4nm級製程的雙面供電方案，試圖在先進製程競爭中縮小與其他晶圓代工廠的差距。

按照原有規劃，英特爾將在基礎14A節點採用自研背面供電網絡PowerDirect，也就是通過晶圓背面為晶體管供電，從而釋放正面佈線空間，並提升芯片功耗與信號傳輸效率。目前，公司正在進一步評估14A2節點的混合式方案，即同時利用晶圓正面和背面金屬層進行電力路徑設計。該方案並不是完全替代背面供電，而是在背面供電基礎上，引入正背面協同佈線，以應對更先進節點下的製造限制。

推動這一調整的原因主要來自光刻和金屬層間距收縮壓力。隨着最小金屬層間距向約21納米推進，製造過程中隨機缺陷風險上升，單一供電和佈線路徑面臨更高工藝難度。雙面供電架構的評估，反映出英特爾在14A2節點上對良率、功耗和佈線密度進行進一步優化。