追蹤全球存儲芯片行業的Roundhill Memory ETF（代碼DRAM）今日盤中大跌7.84%，市場表現顯著疲軟。

消息面上，多重利空因素共同打壓了該ETF的表現。首先，美國九大行業團體聯合致函政府，警告人工智能數據中心的擴張正導致全球存儲芯片出現嚴重短缺和價格飆升，引發了市場對政策干預或需求結構變化的擔憂。其次，市場對存儲芯片行業見頂的討論升溫，價格鬆動、增速放緩等信號壓制了板塊情緒。此外，美國半導體巨頭博通公布的AI芯片銷售指引不及預期，拖累費城半導體指數下跌，恐慌情緒傳導至全球市場。

作為該ETF重要成分股的韓國存儲芯片巨頭三星電子和SK海力士在亞洲交易時段暴跌，外資持續拋售韓國半導體類股，進一步加劇了該ETF的下行壓力。