8月4日，英特爾盤前上漲3.38%，報94.1美元/股，成交額2147.86萬美元。消息面上，英特爾EMIB-T先進封裝技術良率已突破90%，預計明年開始量產；同時聯發科首度公開確認其ASIC項目已採用英特爾EMIB-T封裝技術。

據此前披露，EMIB-T成本較台積電CoWoS方案低約50%，英特爾預計於明年大規模提供該封裝服務。聯發科同時押注台積電CoWoS與英特爾EMIB-T兩條路線，反映封裝已成為AI芯片解決方案的核心競爭維度。當前基板良率仍約50%，為產能擴展主要瓶頸。此前英特爾因費城半導體指數整體承壓回調4.2%，本次盤前反彈受技術面與消息面共振驅動。

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