Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤中大漲9.43%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，全球存儲芯片行業正處於由人工智能（AI）驅動的超級周期之中。據行業分析，全球DRAM需求增速預計將遠高於供給增速，導致供需缺口持續擴大。與此同時，頭部存儲芯片企業業績暴增，印證了行業的高景氣度。在供給端，主要廠商的產能利用率已接近上限，而高端產品如HBM（高帶寬內存）進一步擠壓了傳統DRAM的產量，新增產能的投放存在滯後，短期內供給緊張的格局難以逆轉，這支撐了存儲芯片價格的上漲趨勢。

市場對內存行業未來前景的樂觀預期持續升溫，資金看好該賽道在AI時代的發展潛力，從而推動了追蹤內存行業的Roundhill Memory ETF的價格在盤中顯著上漲。