Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤中大漲9.16%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，此次上漲主要受到存儲芯片行業密集利好的推動。研究機構高盛明確指出，當前DRAM-NAND-HBM超級周期僅處於中段而非頂點，供需緊張程度將延續至2028年。數據顯示，二季度DRAM合約價按月上漲52%-63%，NAND漲幅突破70%，創近10年最大單季漲幅。AI服務器出貨量按年增長180%，單台AI服務器DRAM用量為傳統服務器8-10倍，推動存儲芯片需求激增。此外，機構全面上修存儲芯片報價預期，疊加美股存儲芯片板塊盤前反彈，進一步提振了追蹤該行業的ETF表現。

行業分析指出，全球DRAM、NAND、HBM供需缺口分別達4.9%、4.2%和5.1%，均為2011年以來最高水平。三星、SK海力士、美光將70%以上先進產能轉向HBM及DDR5，通用型產能收縮，庫存處於歷史低位，供需失衡格局短期內難以逆轉。存儲芯片已成為AI產業的核心支柱，長期高景氣周期預期強化了市場信心。