芯片行業，再次傳出一則重磅消息！

美光科技最新宣佈，將在美國芯片製造和研發領域投資約2000億美元，其中包括1500億美元的內存製造和500億美元的研發投資。這意味着，美光科技的投資規模比此前的計劃增加了300億美元。

據悉，美光科技將在愛達荷州建立第二家領先的內存製造工廠，對弗吉尼亞工廠進行現代化改造和擴建，並為美國帶來端到端的高帶寬內存（HBM）製造能力，以滿足人工智能驅動的需求。

HBM在AI市場中得到廣泛應用。有券商表示，持續看好受益先進算力芯片快速發展的HBM產業鏈，以及以存儲為代表的半導體周期復甦主線。

另外，當地時間12日，美光科技宣佈已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內存。據介紹，美光HBM4內存具備2048位元接口，每個內存堆疊的傳輸速率超過2.0TB/s，性能較前一代產品提升超60%。

2000億美元重大投資

據媒體近日報道，美光科技（簡稱「美光」）宣佈，公司計劃將美國的投資擴大到約1500億美元的內存製造和500億美元的研發投資，估計將創造9萬個直接和間接就業機會。

美光約2000億美元的美國擴張願景包括愛達荷州的兩家領先的大型晶圓廠、紐約四家領先的大容量晶圓廠、弗吉尼亞州現有製造工廠的擴建和現代化、先進的HBM封裝能力和研發。這些投資旨在使美光能夠滿足預期的市場需求，保持市場份額，並支持美光在美國生產40%DRAM（動態隨機存取存儲器）的目標。

兩家愛達荷州晶圓廠與美光科技愛達荷州的研發業務合用同一地點，將推動包括HBM在內的尖端產品的規模經濟和更快的上市時間。

據悉，美光已經在愛達荷州的第一家晶圓廠實現了關鍵的建設里程碑，DRAM產量計劃於2027年開始。愛達荷州的第二家晶圓廠將增加美光在美國的DRAM產量，以滿足人工智能推動的不斷增長的市場需求，而該公司預計在完成州和聯邦環境審查程序後，將於今年晚些時候在紐約開始地面準備工作。

美光預計其愛達荷州的第二家晶圓廠將在紐約的第一家晶圓廠之前上線。在愛達荷州第二家晶圓廠完工後，美光計劃將先進的HBM封裝能力帶到美國。此外，美光還敲定了2.75億美元的《芯片法案》直接資助獎，支持其投資於弗吉尼亞州馬納薩斯工廠的擴建和現代化。

美光董事長、總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示：「美光在美國的存儲器製造和研發計劃突顯了我們對推動創新和加強美國國內半導體行業的承諾。這項約2000億美元的投資在半導體生態系統中創造數萬個美國就業機會，並確保美國國內半導體供應。」

「特朗普已經明確表示，現在是在美國建設的時候了。」美國商務部長盧特尼克說：「美光與美國商務部合作，宣佈投資2000億美元進行半導體制造和研發，將全方位的存儲芯片生產帶回美國。美光計劃的投資將確保美國在人工智能、汽車、航空航天和國防等關鍵行業保持領先地位。」

美光預計，其在美國的所有投資都將有資格獲得先進製造業投資信貸（AMIC），該公司已經獲得了地方、州和聯邦層面的支持，包括高達64億美元的《芯片法案》直接資金，用於支持愛達荷州兩家晶圓廠和紐約兩家晶圓廠的建設，以及弗吉尼亞州晶圓廠的擴建和現代化。

多家投行上調美光目標價

作為全球存儲解決方案的領先企業之一，美光科技的核心業務涵蓋動態隨機存取存儲器(DRAM)及非易失性半導體存儲設備，產品廣泛應用於數據中心、個人電腦、移動終端及汽車電子等終端市場。有分析指出，當前，人工智能、數據中心建設及智能汽車滲透率提升三大趨勢，正為美光的核心業務構築長期增長支撐。

近日，美光被多家投行上調目標價。6月5日，瑞穗將美光目標價從124美元上調至130美元，並在公司2025財年第三季度財報發布前維持「跑贏大盤」評級；同日，瑞銀也將美光目標價從92美元提升至120美元，繼續給予「買入」評級，並指出上調原因系企業前景改善及關稅擔憂緩解。

瑞穗預測，到2027年，全球HBM行業收入將以年均55%的速度擴張，而美光憑藉市場份額的提升，其HBM業務收入增速有望達到90%，最終佔據公司DRAM產品收入的45%，顯著提振整體營收與利潤率。

此外，在美光宣佈2000億美元的投資計劃後，英偉達創始人兼首席執行官黃仁勳和蘋果公司首席執行官蒂姆·庫克等人紛紛發聲。

黃仁勳表示，「美光在美國對先進內存製造和HBM能力的投資是人工智能生態系統向前邁出的重要一步。美光在高性能內存方面的領導地位對於實現英偉達正在推動的下一代人工智能突破具有不可估量的價值。我們很高興與美光合作，共同拓展人工智能和高性能計算的可能性。」

蒂姆·庫克稱，「在蘋果，我們很自豪能與所有50個州的供應商合作，包括美光，其技術有助於為用戶每天依賴的產品提供動力。我們期待着在我們的合作基礎上再接再厲。」

存儲器價格繼續上揚

根據DRAMexchange的數據，DDR4（8GB）價格在4月出現了今年以來比較明顯的上漲，由3月的1.35美元漲至4月的1.65美元，漲幅達22.2%。NANDFlash（128GB）價格延續年初以來的增長趨勢，4月價格2.788美元，價格已經相比去年年底上漲34%。DDR5（16GB）價格經歷了之前三個月的明顯上漲後，5月增速有所放緩，5月價格為5.561美元，4月為5.524美元。

另外，根據DRAMexchange，上周（6月2日—6月6日），DRAM有18個品類現貨價格按月升跌幅區間為0.50%至17.16%，平均升跌幅為8.20%。

據DIGITIMES消息，繼三星和SK海力士傳出DDR4停產的消息後，美光確定已向客戶發出信件通知DDR4將停產，預計未來2~3個季度陸續停止出貨。美光執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示，DDR4/LPDDR4停產通知已交給客戶，主要針對PC及數據中心領域。Sumit Sadana表示，DDR4將繼續「嚴重缺貨」。

交銀國際認為，存儲器價格在今年以來的上漲主要來自供應端廠商收斂產量，以及下游客戶積極提前拉貨。考慮到這些趨勢一般很難短時間反轉，預計今年存儲價格或將繼續保持上漲趨勢。

甬興證券表示，受益於算力芯片提振HBM需求，相關產業鏈有望迎來加速成長。此外，受益於供應端推動漲價、庫存逐漸迴歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產業鏈有望探底回升。