快科技9月12日消息，三星電子官方宣佈，已經開始批量生產第九代QLC V-NAND閃存，單顆容量1Tb(128GB)。

就在今年4月，三星開始量產第九代TLC V-NAND閃存，二者只間隔4個月。

三星第九代QLC NAND閃存加入了多項創新：

一是通道孔蝕刻(Channel Hole Etching)。

基於雙堆棧架構，實現了當前業內最高的單元堆疊層數(具體未公開)。同時優化存儲單元面積、外圍電路，位密度比上代提升約86％。

二是預設模具(Designed Mold)。

可以調整、控制存儲單元的字線(Word Line)間距，確保同一單元層內、單元層之間的存儲單元的特性保持一致，達到最佳效果，數據保持性能提升約20％，增強了可靠性。

三是預測程序(Predictive Program)。

能夠預測、控制存儲單元的狀態變化，儘可能減少不必要的操作，寫入性能翻倍，數據輸入/輸出速度提升60％。

四是低功耗設計(Low-Power Design)。

降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓，只感測必要的位線(Bit Line)，數據讀取功耗約分別下降了約30％、50％。

三星第九代QLC V-NAND閃存將首先用於消費電子產品，然後逐步在UFS、PC、服務器領域鋪開。