本文由半導體產業縱橫（ID： I CVI EWS）綜合

SK海力士宣佈，已開始量產12H HBM3E芯片，實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。

今日，韓國SK海力士宣佈，已開始量產全球首款12層HBM3E產品，容量為36GB，這是迄今為止現有HBM的最大容量。

SK海力士聲稱，12層HBM3E產品在速度、容量和穩定性方面均達到全球最高標準。該公司計劃在年內向客戶提供量產產品。

受此消息影響，SK海力士股價周四在韓股市場上大漲。

SK海力士率先實現12層HBM量產

今年3月，SK海力士向客戶交付8層HBM3E產品，創下業界首位。時隔6個月後，SK海力士再次業界首個實現12層HBM3E芯片量產，再次證明其技術優勢。

SK海力士是自2013年推出世界首款HBM以來，開發並供應從第一代(HBM1)到第五代(HBM3E)全部HBM系列的唯一企業。

如今，SK海力士實現在業界率先量產12層HBM3E後，將滿足人工智能企業日益增長的需求，並繼續保持其在人工智能存儲器市場的領先地位。

SK海力士總裁 Justin Kim表示：「SK海力士再次突破了AI內存領域的技術限制，展示了我們在AI內存領域的行業領先地位…為了克服人工智能時代的挑戰，我們將穩步準備下一代內存產品，繼續保持全球第一的地位。」

速度、容量、穩定性均達最高標準

據該公司介紹，12層HBM3E產品在速度、容量、穩定性等人工智能存儲器所必需的所有領域都符合世界最高標準。

SK海力士將內存運行速度提高到9.6 Gbps，這是目前可用的最高內存速度。如果大型語言模型Llama 3 70b由單個搭載4個HBM3E產品的GPU驅動，每秒可讀取總計700億個參數35次。

SK海力士的12層產品和此前同等厚度的8層產品相比，容量增加了50%。為了實現這一目標，該公司將每個DRAM芯片比以前薄40%，並使用TSV技術垂直堆疊。

該公司還通過應用其核心技術Advanced MR-MUF工藝，解決了由於將更薄的芯片堆疊得更高而產生的結構問題。這使得新一代產品散熱性能比上一代產品高10%，並通過增強翹曲控制來確保產品的穩定性和可靠性。

三星進展如何？

HBM（高帶寬存儲器）是GPU的關鍵組件，有助於處理複雜應用程序產生的大量數據，芯片垂直堆疊技術可以在節省空間的同時降低功耗。

目前，HBM的主要製造商只有三個——SK海力士、美光科技和三星電子。其中，三星電子於今年2月首次推出了HBM3E 12H。

三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s，產品容量也達到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。

「當前行業的人工智能服務供應商越來越需要更高容量的HBM，而我們的新產品HBM3E 12H正是為了滿足這種需求而設計的，」 三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 表示，「這一新的存儲解決方案是我們研發多層堆疊HBM核心技術以及在人工智能時代為高容量HBM市場提供技術領導力而努力的一部分。」

HBM3E 12H採用了先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致，以滿足當前HBM封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜（NCF）材料的厚度，並實現芯片之間的間隙最小化至7微米（µm），同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其HBM3E 12H產品的垂直密度比其HBM3 8H產品提高了20%以上。

三星先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊（bump）改善HBM的熱性能。在芯片鍵合（chip bonding）過程中，較小凸塊用於信號傳輸區域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助於提高產品的良率。

隨着人工智能應用的指數級增長，HBM3E 12H有望成為未來系統的優選解決方案，滿足系統對更大存儲的需求。憑藉超高性能和超大容量，HBM3E 12H將幫助客戶更加靈活地管理資源，同時降低數據中心的總體擁有成本（TCO）。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭載於人工智能應用後，預計人工智能訓練平均速度可提升34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍。

關於量產進度，三星表示已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預計於今年下半年開始大規模量產。