來源：行家talk
▋邁為股份：核心產品巨量轉移裝備（LMT）成功交付頭部企業
自8月宣佈交付後，邁為股份10月14日在其官微再披露，其核心產品巨量轉移裝備（LMT）成功交付家電及顯示領域頭部企業，將助力該客戶拓展Micro LED技術佈局，推進其消費電子、車載顯示等相關微型屏的製造，為終端產品向高端化與智能化發展賦能。
在新型顯示領域，邁為股份不僅突破了Micro LED 關鍵裝備技術，成功實現激光剝離、激光巨轉、激光鍵合核心製程設備的國產化，還研製了包括激光去晶、單點鍵合、基板清洗等多款配套設備，為客戶提供完整解決方案。同時，公司進一步攻關了Micro LED晶圓鍵合核心工藝，面向Die to Die和 Wafer to Wafer兩種鍵合方式，為客戶提供鍵合工藝解決方案，以滿足客戶不同需求。
▋諾視科技、晶能光電攜手湖南大學研發IC 級 GaN 基 Micro LED 晶圓製造技術
據中國光學、Light:Science & Applications等10 月 9 日的消息，湖南大學的潘安練教授與李東教授團隊聯合諾視科技、晶能光電等合作方，成功研發出 IC 級 GaN 基 Micro LED 晶圓製造技術，該技術涵蓋大尺寸高質量硅基 Micro LED 外延片製備工藝、非對準鍵合集成技術以及原子級側壁鈍化技術，在硅襯底 GaN 外延片上達成了目前已公開報道中亮度最高的綠光 Micro LED 微顯模組。
相關研究結果以「Ultra-highbrightness Micro-LEDs with wafer-scale uniform GaN-on-siliconepilayers」為題在Light:Science & Applications上發表。
在圖 1a 中，呈現了 4 英寸硅襯底 GaN 基 Micro - LED 外延片的真實照片以及結構示意。研究團隊鑽研出一種 「Ga 原子表面活性劑輔助生長」 的方式，於 1100℃的中等溫度環境下培育出高質量的 AlN 緩衝層，並且成功製得了低位錯密度（約 5.25×10⁸cm⁻²）、低翹曲（16.7μm）以及擁有出色波長均勻性（標準差為 0.939nm）的綠光 Micro - LED 外延結構（如圖 1b - 1d 所示）。目前，此項技術已經順利擴展應用到了 6、8 以及 12 英寸的硅襯底 GaN 晶圓上。
圖1：（a）4英寸外延片實物圖及外延結構示意圖；（b）GaN（002）/（102）雙晶的HRXRD搖擺曲線；（c）和（d）分別為外延片翹曲度和光致發光主波長mapping圖
依託高質量的硅襯底 GaN 基綠光外延材料，研究團隊成功研發出一種針對 Micro-LED 側壁的溼法修復與粗化技術。他們藉助鹼性溶液對 GaN 材料極性面和非極性面腐蝕速率各向異性這一特性，順利清除了 Micro-LED 側壁的刻蝕損傷，同時通過結合原子級側壁鈍化，極大程度地降低了側壁非輻射覆合速率。這項技術還達成了出光面深亞微米級別的粗化，有效地增強了 Micro-LED 的光提取效率。從圖 2 中可以看出，相關結果清晰地表明溼法修復和粗化技術使 Micro-LED 的亮度得到了大幅度的提高。像素大小為 5μm 的 Micro-LED 微顯示陣列其最高發光亮度能夠達到 1000 萬尼特。
圖2：（a）側壁鈍化處理後的發光像素SEM圖；（b）Micro-LED器件亮度曲線圖；（c）晶圓級光刻像素後的實物圖（上），Micro-LED顯示屏點亮照片（下），插圖為30×30發光像素矩陣
研究團隊進一步開發了垂直非對準鍵合集成技術，成功構建了與硅基CMOS緊密集成的可獨立尋址的Micro-LED顯示芯片，0.39英寸顯示屏具有優異的亮度均勻性，標準差僅為720Cd/m2(2.2%),像素密度高達3400PPI，實現了圖片和視頻的高清顯示。
圖3：（a）Micro-LED與CMOS驅動集成示意圖；（b）芯片像素單元FIB測試剖面圖；（c）0.39英寸顯示屏亮度均勻性mapping圖；（d）湖南大學logo照片高清顯示效果圖。
該研究工作基於高質量的硅襯底GaN基Micro-LED外延材料，開發了包括溼法處理技術、原子級鈍化技術和垂直非對準鍵合技術的IC級Micro-LED晶圓製程，成功製備出超高亮度的Micro-LED微顯矩陣和與硅基CMOS集成的Micro-LED微顯示屏，為高亮度GaN基Micro-LED微顯示的規模化製造和應用提供了重要支撐。
▋Micro LED重大專項立項，合作單位為泉州三安
近日，泉州市公布2024年市級「揭榜掛帥」科技重大專項立項結果的通知。「Micro LED顯示模組關鍵技術及產業化研究」項目承擔單位為泉州師範學院光電工程系，合作單位為泉州三安半導體科技有限公司。
此次排行榜研發投入預測達7380萬元，以市場為導向，以需求為牽引，建立健全「企業出題、能者答題」的科研項目立項和實施方式。
其中，「Micro LED顯示模組關鍵技術及產業化研究」的技術攻關的方向如下：
（1）採用微結構光學設計的薄膜層方案，針對特定的Micro LED陣列排布對薄膜微結構進行光學設計，獲得亮度均勻性的同時提高模組的透過率。
（2）根據Micro LED顯示產品的設計要求，開發微結構光學功能薄膜模具的加工與測試技術。
（3）開展Micro LED顯示模組的封裝與測試技術研究，通過模組端光度性能測試，提出微結構功能薄膜的優化方案。
除了本次項目外，在9月，三安光電與TCL華星合資企業芯穎顯示，其中試驗證線已基本搭建完成，並表示計劃今年底開始中試生產，有望在未來2年擴產實現量產。
值得一提的是，《2024薄膜Micro LED產業調研白皮書》正式發布，關於Micro LED更詳細的市場規模分析，以及產業發展與趨勢、關鍵技術、技術路線、關鍵應用品牌進度等分析，歡迎掃碼訂閱。
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