如果您希望可以時常見面，歡迎標星 收藏哦~來源：內容編譯自IBM Research，謝謝。在 NY CREATES 的奧爾巴尼納米技術綜合大樓工作的一組研究人員報告了Low NA 和High NA EUV 圖案的最新良率，這顯示了通往 2 納米以下節點的途徑。在過去的幾十年裏，計算能力的爆炸式增長依賴於晶體管尺寸的不斷縮小。硅片上最小圖案尺寸的縮小在很大程度上得益於光刻技術的進步。光刻技術利用光、...
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