2024年12月18日，中國氮化鎵晶圓製造商英諾賽科（02577.HK）啓動招股，並將於2024年12月23日結束招股。該公司計劃全球發售4536.4萬H股，其中香港公開發售佔10%，國際配售佔90%，另有約15%超額配股權。

公告顯示，英諾賽科每股發售價介乎30.86-33.66港元，最高或籌資15.27億港元。每手100股，股份預期定價日爲12月24日，預期將於2024年12月30日上市。

根據戰略，英諾賽科擬將所得款項淨額中，約60%用作擴大8英寸氮化鎵晶圓產能、購買及升級生產設備及機器以及招聘生產人員；約20%用於研發及擴大產品組合，以提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率；約10%用於擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡；約10%用於營運資金及其他一般企業用途。

據悉，氮化鎵是一種具有高頻率和低導通電阻的寬帶隙半導體材料，已成爲功率半導體行業持續變革的核心，而且即將加速市場滲透。於2023年，氮化鎵功率半導體佔全球功率半導體市場的0.5%，並預期於2028年佔市場的10.1%。

而英諾賽科是全球氮化鎵功率半導體產品龍頭，其設計、開發及生產若干類型的氮化鎵產品（包括分立器件、集成電路、晶圓及模組）。這些產品廣泛應用於消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等領域。

資料顯示，英諾賽科是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。根據弗若斯特沙利文的資料，按收入計，英諾賽科於2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。

業績方面，近年來，英諾賽科的收益保持快速增長態勢，2021年至2023年的收益複合年增長率高達194.8%；2024年上半年，錄得收益約3.86億元（單位人民幣，下同），同比增長25.2%。

同時，英諾賽科雖仍處於虧損狀態，但虧損在持續收窄；2024年上半年，錄得淨虧損約4.88億元，同比收窄15.8%。