1月21日消息，據韓國媒體MoneyToday報導，DRAM大廠三星電子之前宣稱其第六代10nm級1c DRAM製程2024年底開發完並量產，但良率沒有提升，導致開發延後6個月到2025年6月才能完成，這也會使預定下半年量產的第六代高頻寬內存（HBM4）一併延後。報導引用市場人士說法，三星電子第六代10nm級1c DRAM製程遇到困難。儘管在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個測試芯片，但因爲...
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