快科技2月12日消息，據韓國媒體報道，三星電子正在重新調整其第六代1cnm DRAM的設計，以提升良品率，確保其HBM4內存的量產。三星的1cnm DRAM自開發以來一直面臨良品率問題，2024年末的試產並未達到預期效果，大規模生產準備階段的良品率通常在60%至70%左右。爲了提升良品率，三星決定調整設計，核心電路線寬保持不變，而外圍電路線寬的要求則被放鬆，這一調整預計將顯著提升良品率，確保...
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