智通財經APP獲悉，光大證券發佈研報稱，NANDFlash市場供需結構將有望在25年下半年顯著改善，包含原廠減產、智能手機庫存去化、AI及DeepSeek效應等因素將推升 NANDFlash需求，從而緩解供過於求的局面，預期下半年將迎來價格回升。此外，自2024年第四季起，中國政府持續推出的以舊換新補貼政策有效地刺激智能手機銷量，加速 NANDFlash庫存去化速度。智能手機品牌廠有機會在2025年第二季擴大低價庫存，帶動需求動能。同時，存儲跌價即將結束，25Q2價格有望逐步回升，行業拐點來臨。

光大證券主要觀點如下：

NANDFlash合同價有望於25Q2開始上漲，漲價趨勢有望持續至25年底

TrendForce集邦諮詢認爲，NANDFlash市場供需結構將有望在25年下半年顯著改善，包含原廠減產、智能手機庫存去化、AI及DeepSeek效應等因素將推升NANDFlash需求，從而緩解供過於求的局面，預期下半年將迎來價格回升。根據閃德資訊，隨着NANDFlash廠商積極減產以維持供需秩序，NANDFlash下游有望於2025年第二季度進入補庫存週期，NANDFlash合同價也有望於2025年第二季度開始上漲，漲價趨勢至少可持續至2025年底，NANDFlash下半年有望轉爲供不應求。此外，自2024年第四季起，中國政府持續推出的以舊換新補貼政策有效地刺激智能手機銷量，加速NANDFlash庫存去化速度。智能手機品牌廠有機會在2025年第二季擴大低價庫存，帶動需求動能。

DRAM現貨價或已接近底部

根據閃存市場，2025年第一季度受2024年末庫存調整影響，消費級DRAM價格小幅下跌(約3-5%)，企業級產品因需求穩定保持平穩;2025年第二季度AI芯片缺貨緩解帶動HBM(高帶寬內存)配套DRAM需求，價格環比上漲5-8%;2025年第三季度傳統消費電子旺季備貨啓動，疊加手機廠商提前採購LPDDR6，價格漲幅將擴大至10-12%;2025年第四季度供需趨於平衡，價格高位震盪，全年綜合漲幅預計達15-18%。根據閃德資訊，2025年2月24日至2025年2月28日當週，DRAM市場保持穩定，交易較前兩週有所提升。D3、D4現貨供應充足，價格大幅上漲的可能性較低。D5上週現貨顆粒價格有所上調，但加工條價格上漲空間有限，且市場對D5的消耗仍未達到預期水平，短期價格波動有限。

三星發佈9100 Pro PCIe 5.0 SSD，美光1γ DRAM內存開始出貨

三星發佈了9100 PROPCIe 5.0 NVMe SSD。9100 PROSSD採用了PCIe 5.0 x4接口，外形爲M.22280規格，提供了1TB、2TB、4TB和8TB四種容量可選。美光宣佈，已向生態系統合作伙伴及部分客戶提供基於1γ節點、第六代(10nm級)DRAM節點的DDR5內存樣品。基於1γ節點的16Gb DDR5產品DDR5內存速度可達9200MT/s，較上一代提升15%，可滿足數據中心、端側AI設備對高性能計算的需求。

三星將使用長江存儲專利技術

據韓國媒體ZDNet Korea 2025年2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NANDFlash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術的專利許可協議，以便從其第10代(V10)NANDFlash產品(430層)開始使用該專利技術來進行製造。該報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由於目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處於全球領先地位。三星經過評估認爲，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影響。

風險分析：半導體需求不及預期風險、宏觀經濟不如預期風險、行業競爭加劇風險。