智通財經APP獲悉，光大證券發佈研報稱，半導體材料作爲製作各類半導體器件的關鍵，在AI產業驅動、存儲芯片補貨以及晶圓廠擴建的推動下，2024年半導體市場規模進一步增長。中國大陸半導體材料市場規模從2019年的593億元迅速攀升至2023年的979億元，預計2024年規模達1011億元。在這一背景下，各細分領域如硅片、電子特氣等呈現出不同發展態勢，部分領域國產化進程加速，行業發展前景值得關注。

光大證券主要觀點如下：

AI和晶圓廠擴建驅動半導體材料市場回暖

半導體材料是製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料，是半導體制造工藝的核心基礎。按照工藝的不同，半導體材料可分爲晶圓製造材料和封裝材料。在AI產業驅動、存儲芯片補貨、晶圓廠擴建的驅動下，2024年半導體市場規模進一步增長。根據SEMI 數據，中國大陸半導體材料市場規模快速增長，從2019年爲593億元增長至2023年的979億元，估算2024年規模爲1011億元。

硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升

硅片尺寸向12英寸演進已成爲主流趨勢，但8英寸硅片仍具備顯著的應用優勢。根據摩爾定律，半導體硅片尺寸越大，單片硅片上可製造的芯片數量越多，從而有效降低單位芯片成本。12英寸硅片主要應用於邏輯芯片(如CPU、GPU)、存儲芯片、FPGA和ASIC等高端領域，而8英寸硅片則廣泛應用於功率器件、電源管理器、MEMS等領域。隨着行業庫存去化接近尾聲，疊加終端市場需求驅動，硅片行業有望逐步迎來複蘇。

電子特氣：貫穿晶圓製造的多個流程，全球市場被歐美日企業佔據

電子特種氣體在集成電路領域應用廣泛，種類繁多，覆蓋半導體制程多個環節。全球電子特氣市場呈現出顯著的寡頭壟斷格局，主要由歐美和日本企業主導。我國電子特氣國產化率較低，2020年電子特氣國產化率僅14%，例如集成電路生產用的電子特氣，我國僅能生產約20%的品種，所佔國內市場份額僅爲12%。預計2025年我國電子特氣國產化率有望提升至25%。

掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發

掩膜版是微電子製造過程中的圖形轉移母版，是平板顯示、半導體、觸控、電路板等行業生產製造過程中重要的關鍵材料。獨立第三方半導體掩膜版市場中，海外公司佔比較高。半導體掩膜版技術難度較大，我國廠商逐步突破。

光刻膠：逐步推進國產化進程

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體，是光刻工藝中的核心耗材，其性能決定着光刻質量。中國G/I線光刻膠部分國產替代，KrF/ArF/EUV光刻膠主要依賴進口。

溼電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快

溼化學電子品技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快。晶圓廠產能的增加帶動上游溼電子化學品需求的增長。

CMP材料：CMP環節仍存在較大國產化空間

化學機械拋光(CMP)已成爲製造集成電路的核心技術。CMP工藝中的主要設備是CMP拋光機，主要耗材包括拋光液、拋光墊、清洗劑和調節器等。其中，拋光液和拋光墊佔據CMP耗材細分市場的80%以上，是CMP工藝的核心消耗品。前道加工和後道封裝中均需要多次使用CMP技術。

靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高

半導體領域靶材具有多品種、高門檻、定製化的特點，其對於濺射靶材的技術要求高，對金屬材料純度、內部微觀結構等均有嚴苛的標準。目前市場上成熟製程(28nm及以上)的晶圓片所使用的靶材以鋁靶和鈦靶的配套爲主，而在先進製程(28nm以下)的晶圓片中，金屬靶材的選擇則以銅靶與鉭靶的配套爲主。

風險分析：半導體需求不及預期風險、宏觀經濟不如預期風險、行業競爭加劇風險。