英偉達黃仁勳:GAA工藝或僅帶來20%性能提升,架構與軟件創新更為關鍵

IT之家
03-27

IT之家 3月27日消息,據EE Times報道,英偉達(Nvidia)首席執行官黃仁勳(Jensen Huang)在近期GTC大會的一場問答環節中表示,依賴全環繞柵極(Gate-All-Around, GAA)晶體管的下一代製程技術可能會爲公司處理器帶來大約20%的性能提升。然而他同時強調,對於英偉達的GPU而言,最主要的性能飛躍源於公司自身的架構創新以及軟件層面的突破。

當被問及未來幾代英偉達GPU架構(如預計在兩代後即2028年推出的費曼架構)時,黃仁勳提及,如果英偉達轉向採用基於GAA晶體管的製程技術,應能實現約20%的性能增長。

據現場參會的分析師Jarred Walton觀察,黃仁勳似乎在刻意淡化製程節點更迭的重要性。他強調,隨着摩爾定律的放緩,未來全新的製程技術在密度、功耗或能效方面可能僅帶來20%左右的改進。需要指出的是,黃仁勳此番言論是在回應分析師關於英偉達是否可能採用三星代工(Samsung Foundry)的提問時作出的,並非是對未來選用何種節點的明確表態。

黃仁勳進一步指出,儘管領先製程技術帶來的改進是受歡迎的——他表示“我們樂於接受(We'll take it)”,但這已不再是顛覆性的變革。他暗示,隨着人工智能系統規模的不斷擴大,高效管理海量處理器的能力,其重要性正日益超過單個處理器的原始性能。數據中心越來越關注“每瓦性能”,因爲“我們正逼近物理學的極限”。

IT之家注意到,與蘋果公司作爲臺積電所有尖端節點的首發(alpha)客戶不同,英偉達通常不會率先採用臺積電最新的製程技術,而是傾向於選用經過驗證的成熟工藝。例如,英偉達當前的Ada Lovelace、Hopper以及Blackwell系列GPU(面向消費級PC和數據中心),就採用了臺積電4nm級別工藝的定製版本——4N和4NP。這些節點實際上屬於臺積電5nm級別的工藝開發套件(PDK),是5nm技術的精煉版。

展望未來,英偉達預計於明年發佈的下一代AI GPU(代號“魯賓” Rubin,搭配定製的Vera CPU),預計將採用臺積電的3nm級別製程(推測爲N3P或類似“3NP”的定製版本)。基於此,外界普遍預期英偉達將在2028年推出的“費曼”GPU上採用基於GAA的製程技術。

臺積電自身對其首個GAA工藝節點N2的預期是,相較於其第二代3nm級工藝N3E(N3P的前代),性能提升幅度在10%至15%之間。對比來看,黃仁勳對GAA帶來的20%提升預期似乎比臺積電更爲樂觀。然而,考慮到英偉達近年來不採用(或至少多年未採用)第一代新工藝的策略,預計“費曼”GPU更可能採用N2的增強版N2P(提升性能、降低電阻並穩定供電)或甚至採用增加背面供電(backside power delivery)並承諾比 N2 提升8%-10%性能的A16工藝。N2P和A16均預計在2027年實現量產。

因此,如果英偉達在2028年的產品上選擇採用N2P或A16工藝,那麼預期其“費曼”GPU相比採用N3P工藝的“魯賓”GPU獲得20%的性能增益是合理的。

儘管英偉達已是當今領先的處理器開發者之一,黃仁勳多次強調,他的公司已不再僅僅是一家半導體公司。他將英偉達描述爲一家大型人工智能基礎設施提供商,同時也是算法開發的領導者,尤其在計算機圖形學、機器人技術以及計算光刻等領域。

不過,雖然英偉達的業務重心已逐漸從單純開發計算GPU轉向AI服務器、服務器機架乃至集羣,黃仁勳認爲,英偉達並不一定與其客戶直接競爭。據他所言,英偉達提供的是基礎技術,而非爲最終用戶構建實際的解決方案。

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