（圖片來源：林志佳拍攝）

4月22日消息，市場傳三星電子通知客戶於2025年4月終止1z製程8Gb LPDDR4存儲器生產（End of Life），並要求客戶在6月前完成最後買進訂單，預計最遲於10月前出貨，主要原因是國內手機LPDDR4存儲芯片訂單轉到本土工廠製造，三星將聚焦LPDDR5以上的高端產品。

對此傳聞，4月22日中午，三星半導體方面對鈦媒體AGI獨家回應稱：不評論業界傳言，生產在按序進行。

據悉，CFM閃存市場數據顯示，在AI服務器的強勁需求帶動下，2024年，全球DRAM和NAND閃存銷售收入創1670億美元的歷史新高，比上一年漲85.53%，但去年第四季度，全球NAND閃存規模卻減少8.5%，至174.1億美元。預計2025年，全球存儲市場產值預計僅實現2%的微幅增長。

在DRAM（動態隨機存取存儲器）方面，2024年DRAM市場規模達到970億美元，容量達到2500億Gb，其中，HBM熱潮成爲DRAM市場的一大亮點。

CFM閃存市場預計，到2025年，隨着三星、美光、SK海力士等多家公司的HBM4將量產落地，HBM產品在全部DRAM產業中的佔比將接近30%，市場將達到2880億Gb當量，並且在服務器內存消耗方面，其應用還在持續增長。

財報顯示，2024年，三星電子公司實現收入300.9萬億韓元 （約1.52萬億元人民幣），同比增長16%；而歸母淨利潤則飆升至33.6萬億韓元 （約1692.43億元人民幣），同比增長131%。其中，三星內存業務成爲主要增長引擎，銷售額達84.5萬億韓元，同比增長91%，HBM及DDR5產品貢獻顯著。

目前，三星主要瞄向中高端DRAM存儲和NAND閃存芯片市場。據公開報道，2025年，三星將HBM3E產能提升三倍，並將QLC SSD的市場佔比目標設定爲30%，相比2024年的15%大幅提高。同時，公司計劃減少超過20%的傳統DRAM產能，轉向生產LPDDR5x及HBM等高端產品。

今年1月，HBM4內存已經準備採用4nm試產，待完成邏輯芯片最終性能驗證後，三星將提供HBM4樣品驗證。

三星電子表示，這一強勁表現得益於對存儲芯片的強勁需求，包括用於 AI 服務器和固態硬盤（SSD）的存儲芯片。“HBM、DDR5等以服務器爲中心的產品銷售擴大，同時公司積極應對生成式AI服務器用高附加值產品的需求，使得業績較上季度大幅改善。”

里昂證券(CLSA)分析認爲，數據中心和 AI 開發需求推動內存芯片的平均價格較上一季度上漲了15%，這幫助三星最大的部門扭轉了上年同期虧損。美銀預計，三星2025年的HBM3e銷售預計達24億美元，佔HBM總銷售額的34%。