分辨率、套刻精度、產能爲光刻機核心參數。光刻工藝是芯片製造流程中技術難度最大、成本最高、週期最長的環節，直接決定了芯片的最小線寬，定義了半導體器件的特徵尺寸，先進技術節點的芯片製造需要60-90 步光刻工藝，光刻成本佔比約爲30%，耗費時間佔比約爲40-50%。光刻中的核心工具包括光掩膜、光刻機和光刻膠，分辨率、套刻精度、產能爲光刻工藝中的關鍵參數，分辨率是指光刻機能清晰地在晶圓上投影出的最小特徵...
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