在近日舉辦的北美技術論壇上，台積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。台積電沒有給出具體數據，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。台積電N2首次引入了GAAFET全環繞晶體管，目前距離大規模量產還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優於N7/N6、N3/N3P。從...
網頁鏈接在近日舉辦的北美技術論壇上，台積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。台積電沒有給出具體數據，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。台積電N2首次引入了GAAFET全環繞晶體管，目前距離大規模量產還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優於N7/N6、N3/N3P。從...
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