台積電近期在北美技術研討會上公佈了其N2（2nm）工藝技術相對於同階段前代工藝的缺陷密度（D0）。據該公司稱，N2工藝的缺陷密度低於N3（3nm）、N5（5nm）和N7（7nm）製造節點。此外，幻燈片顯示，台積電N2工藝距離量產還有兩個季度，這意味着台積電有望按預期在2025年第四季度末開始生產2nm芯片。儘管台積電的N2工藝是該公司首個採用全柵環（GAA）納米片晶體管的工藝技術，但該節點的缺陷...
網頁鏈接台積電近期在北美技術研討會上公佈了其N2（2nm）工藝技術相對於同階段前代工藝的缺陷密度（D0）。據該公司稱，N2工藝的缺陷密度低於N3（3nm）、N5（5nm）和N7（7nm）製造節點。此外，幻燈片顯示，台積電N2工藝距離量產還有兩個季度，這意味着台積電有望按預期在2025年第四季度末開始生產2nm芯片。儘管台積電的N2工藝是該公司首個採用全柵環（GAA）納米片晶體管的工藝技術，但該節點的缺陷...
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