據最新消息，三星電子已經制定了在第7代10nm級DRAM內存工藝1d nm後導入VCT垂直通道晶體管技術的路線圖。有望在未來2到3年內，相關產品將面世。在這個過程中，三星電子曾經在1d nm後的下一代DRAM工藝中，考慮過1e nm和VCT DRAM兩種選擇，最終選擇了後者。在選擇新的DRAM工藝方向上，三星電子進行了深入的研究和對比。在1e nm和VCT DRAM兩種選擇中，三星電子最終選擇了...
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