4月28日消息，據韓國媒體 sedaily 報導，三星電子已確定將在三年內量產被稱爲次世代內存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產，以挽回“超級差距”的地位。VCT DRAM是指將內存單元中控制電流流動的晶體管垂直排列的產品。與傳統平面方式相比，可以排列更多晶體管，實現更高容量，因此被視爲潛力巨大的“遊戲規則改變者”。然而，這種...
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