在臺積電北美技術研討會上，臺積電表示無需使用High NA（高數值孔徑）EUV光刻機來製造其A14 (1.4nm) 工藝的芯片。

臺積電在研討會上介紹了A14工藝，並表示預計將於2028年投入生產。此前，臺積電曾表示A16工藝將於2026年底問世，而且也不需要使用High NA EUV光刻設備。

據悉，臺積電業務發展高級副總裁Kevin Zhang表示：“從2nm到A14，我們無需使用High NA，但我們可以繼續保持類似的工藝步驟複雜性。”

這與英特爾形成鮮明對比，英特爾一直積極採用High NA，力求追趕半導體代工市場領頭羊臺積電和三星。英特爾是首家獲得ASML High NA EUV光刻機的公司，並計劃於2025年開始在Intel 18A製程中採用High NA EUV光刻機生產芯片。

一切都與價格有關

臺積電遲遲未採用該技術的關鍵原因可能是ASML的High NA光刻機定價過高。據稱，High NA EUV光刻機的價格約爲3.8億美元，是上一代Low NA EUV光刻機（約1.8億美元）的兩倍多。

臺積電顯然已經計算出，使用Low NA EUV光刻機進行多次圖案化更具成本效益，並且生產線的停留時間會略長。此外，使用當前一代設備，臺積電還將受益於其已證實的卓越良率。

英特爾是否會繼續積極擁抱這項技術還有待觀察，因爲英特爾目前更換了新任CEO陳立武（Lip-Bu Tan），而陳立武對英特爾代工廠的計劃尚未完全披露。

英特爾與臺積電或有新合作

陳立武告訴分析師，他最近會見了臺積電CEO魏哲家和臺積電創始人兼前董事長張忠謀。“張忠謀和魏哲家是我的老朋友。我們最近也見了面，試圖尋找可以合作的領域，從而實現雙贏。”

臺積電A14製程的首款產品並未採用背面供電技術。而支持背面供電技術的A14P工藝將於2029年推出，其高性能版本A14X可能成爲High NA EUV光刻技術的候選產品。

即使英特爾和三星繼續採用High NA EUV光刻技術，以在尖端工藝方面追趕臺積電，他們也面臨着開發成本的挑戰。通過在這一領域的開拓，他們預計將爲臺積電鋪平道路，當臺積電認爲採用High NA EUV光刻具有成本效益時，將會引入並使用這一先進技術。（校對/李梅）