在臺積電北美技術研討會上，臺積電表示無需使用High NA（高數值孔徑）EUV光刻機來製造其A14 (1.4nm) 工藝的芯片。臺積電在研討會上介紹了A14工藝，並表示預計將於2028年投入生產。此前，臺積電曾表示A16工藝將於2026年底問世，而且也不需要使用High NA EUV光刻設備。據悉，臺積電業務發展高級副總裁Kevin Zhang表示：“從2nm到A14，我們無需使用High NA，...
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