英特爾代工戰略提速:18A量產倒計時

華爾街見聞
10小時前

14A劍指臺積電,以生態佈局重構行業格局。

在 2025 年英特爾代工大會(Intel Foundry Direct Connect)上,英特爾公佈了其“四年五個製程節點”計劃的最新進展,這標誌着英特爾代工戰略進入關鍵實施階段。

英特爾公司首席執行官陳立武(Lip-Bu Tan)在開幕演講中分享了英特爾代工的進展和未來發展重點,強調英特爾正在推動其代工戰略進入下一階段。

英特爾代工服務也包括成熟節點,目前已在晶圓廠中完成其首個16nm生產流片,並且英特爾還在與聯華電子合作開發的12nm節點吸引客戶。

但英特爾代工服務最主要的還是實施先進製程攻堅:目前,Intel 18A製程節點已進入風險試產階段,缺陷密度持續優化;英特爾計劃於2025年底實現大規模量產。

這個節點採用Power Via背面供電技術,晶體管密度較上一代提升20%,性能提升10%-15%,主要面向AI芯片、高性能計算(HPC)和自動駕駛域控制器等高端市場。

作爲英特爾代工戰略的核心產品,Intel 18A的量產將直接對標臺積電的2nm(N2)和三星的SF2節點。

臺積電N2製程預計於2025年下半年進入量產,而三星SF2節點計劃於2025年推出。

英特爾憑藉18A節點的技術優勢,已吸引英偉達博通、智原科技等頭部客戶開展流片測試,其中英偉達計劃基於18A製程開發下一代AI加速卡。

在下一代製程佈局上,英特爾宣佈Intel 14A(1.4nm)已啓動客戶合作,發送了早期PDK(製程工藝設計工具包),這個工具套件包含一套數據、文檔和設計規則,可用於設計和驗證處理器設計。

據英特爾披露,預計14A製程將於2027年量產,比臺積電A14製程(預計2028年量產)早一年推向市場。

Intel 14A是繼18A之後的下一代產品,若一切順利,14A將成爲業界首個採用高數值孔徑EUV光刻技術的節點。

14A製程工藝將採用Power Direct直接觸點供電技術,結合第二代Ribbon FET晶體管架構,可實現每瓦性能提升15%-20%。

此外,Intel 14A還將引入新的Turbo Cell技術,允許設計人員在芯片模塊內動態優化性能與功耗平衡,目的是進一步提高芯片速度,“包括CPU最大頻率和GPU關鍵路徑”,以強化英特爾在AI和HPC領域的競爭力。

英特爾在一份聲明中稱,“Turbo Cells針對目標應用實現功耗、性能和麪積之間的平衡。”英特爾強調,其已有第二臺High NA EUV設備在Intel 14A投入運行。這臺設備比第一臺設備啓動速度快得多。

面對臺積電SoIC和三星X-Cube的競爭,英特爾通過Foveros Direct 3D堆疊和EMIB 2.5D橋接技術構建系統級集成能力。

在Intel Foundry Direct Connect上,英特爾展示了基於EMIB-T技術的超大規模Chiplet方案,可集成4個計算Die和12個HBM5內存,支持120mm×120mm封裝尺寸,滿足AI芯片對高帶寬內存的需求。

此外,Foveros-R和Foveros-B技術將於2027年量產,進一步提升封裝靈活性和能效比。

在供應鏈協同方面,英特爾與Amkor Technology達成合作,將Amkor的封裝產能納入代工生態,爲客戶提供更多封裝技術選擇。

這種“製程+封裝”的協同模式,形成了英特爾爲客戶提供從芯片設計到系統集成的全鏈條服務能力:比如爲英偉達定製的AI芯片可通過Foveros Direct實現3D堆疊,提升計算密度30%+。

通過全球多元化製造網絡,是英特爾應對供應鏈風險的策略;英特爾俄勒岡州晶圓廠已啓動Intel 18A量產,亞利桑那州Fab 52工廠完成流片,計劃於2025年底進入量產爬坡階段。

英特爾與聯電(UMC)合作開發的12nm節點預計2026年完成驗證,2027年量產,主要服務於物聯網和汽車電子市場。

在資本投入方面,英特爾過去四年累計投入900億美元,其中370億美元用於晶圓廠設備,亞利桑那州和以色列晶圓廠的EUV產能分別增長100%和50%。

這種激進的產能擴張策略,使其車規級存儲封裝產能在2025年提升50%,月產能突破1500萬顆。

英特爾代工加速聯盟(Intel Foundry Accelerator Alliance)新增了芯粒聯盟和價值鏈聯盟兩大項目。

其中,芯粒聯盟聚焦於定義可互用、安全的芯粒標準,支持客戶基於Chiplet技術開發異構集成產品,比如將基於Intel 18A的計算Die與HBM高帶寬內存,通過UCIe接口互聯。

價值鏈聯盟則整合IP、EDA和設計服務資源,爲客戶提供從工藝設計到量產的一站式解決方案,Synopsys、Cadence等合作伙伴已爲Intel 18A提供EDA工具和參考流程。

在客戶拓展方面,英特爾與聯發科合作的16nm產品已進入晶圓廠生產,與微軟高通等企業在AI芯片和自動駕駛域控制器領域展開深度合作。

這種生態協同模式,使英特爾在2024年車規級存儲收入佔比提升至12%,並計劃2025年進一步突破至15%。

當前全球晶圓代工市場呈“臺積電主導、三星追趕、英特爾突圍”格局。

據TrendForce調研數據,臺積電以67%的份額穩居第一,三星以10%位居第二,而英特爾僅佔1%。在AI芯片代工領域,臺積電佔據68%的份額,英特爾僅佔5%。

爲打破這一格局,英特爾採取“技術差異化+生態捆綁”策略。

在製程層面,Intel 18A通過PowerVia技術降低電阻損耗,較臺積電N2節點功耗優化10%;封裝環節,Foveros Direct的3D堆疊技術可實現更高的集成密度,比如將CPU、GPU和HBM內存集成於單一封裝體內,較傳統2D設計面積縮小40%。

目前,英特爾代工戰略仍面臨三大核心挑戰。

首先是技術驗證風險,Intel 18A的良率提升和客戶認證進度可能不及預期;臺積電N2節點良率已達80%,而英特爾18A目前仍處於風險試產階段。

其次,生態壁壘,臺積電通過“CoWoS+封裝+ 3nm製程”組合,鎖定英偉達、AMD等大客戶,英特爾需在AI芯片領域突破客戶信任壁壘。

最後還是財務壓力,英特爾代工業務2024年虧損134億美元,若18A量產不及預期,可能導致現金流進一步惡化。

英特爾在2025年代工大會上展現的技術突破與生態佈局,標誌着其正以“製程+封裝+製造+生態”四維戰略重構行業格局。

儘管面臨臺積電的壟斷壓力和內部財務挑戰,但英特爾通過18A量產、14A技術儲備和全球產能擴張,在AI芯片和車規級存儲領域,逐步建立差異化優勢。

若能在客戶認證和良率提升上持續突破,英特爾有望在2030年前實現“全球第二大代工廠”的目標,爲半導體行業帶來新的競爭變量。

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