金融界2025年5月3日消息，國家知識產權局信息顯示，杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請一項名爲“一種高密度的SiC MOSFET結構及其製備工藝”的專利，公開號CN119907274A，申請日期爲2025年3月。

專利摘要顯示，本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種高密度的SiC MOSFET結構及其製備工藝，包括由若干個相互並列的MOS元胞構成，單個所述MOS元胞包括有漏極、半導體外延層、柵極以及源極，所述半導體外延層包括有N襯底層、N擴散層、P阱層、N阱層以及P‑層，所述柵極的截面輪廓呈“T”字形狀，並且P阱層和N阱層的截面寬度不超過柵極的截面寬度。本發明通過引入多晶硅與源極直接接觸，這樣可放大漏極與源極的電場效應，而漏極的電荷主要從金屬沉積層流入N擴散層內，這樣在柵極電場和原極電場的同時作用下，電荷主要集中向電荷溝道和電荷溝道流動，這樣能夠減少電荷向相鄰的MOS元胞擴散。

天眼查資料顯示，杭州譜析光晶半導體科技有限公司，成立於2020年，位於杭州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本826.4856萬人民幣。通過天眼查大數據分析，杭州譜析光晶半導體科技有限公司共對外投資了7家企業，參與招投標項目14次，專利信息136條，此外企業還擁有行政許可2個。