金融界2025年5月3日消息，國家知識產權局信息顯示，LX 半導體科技有限公司申請一項名爲“功率半導體器件”的專利，公開號 CN119907281A，申請日期爲 2024 年 9 月。
專利摘要顯示，提供了一種功率半導體器件、包括該功率半導體器件的功率半導體模塊、功率轉換器以及製造方法。該功率半導體器件可以包括基板、設置在基板上的第一導電型外延層、以及階梯狀阱結構，其中，該階梯狀阱結構的下部區域的寬度比上部區域窄，但比絕緣區或溝槽區寬。
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