金融界 2025 年 5 月 3 日消息，國家知識產權局信息顯示，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司取得一項名爲“氮化物半導體器件”的專利，授權公告號 CN 222803313 U，申請日期爲 2024 年 3 月。專利摘要顯示，本申請涉及一種氮化物半導體器件。本申請通過在源、漏極和柵極之間設置鈍化層，即將等離子體注入離子注入區內，使等離子體和離子注入區內的帽層中的雜質形成絡合物，以改變帽層的摻雜狀態...
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