4月29日，中國科學院上海光機所林楠團隊在極紫外光刻（EUV）光源領域取得重大突破，成功開發出基於固體激光器的激光等離子體極紫外（LPP-EUV）光源，能量轉換效率達3.42%，超越國際頂尖水平，打破西方技術壟斷，為中國半導體產業叩開7納米以下先進製程大門。EUV技術：高端芯片製造的「金鑰匙」芯片是現代科技核心，EUV光刻技術是製造高端芯片的關鍵。其原理是利用13.5nm極紫外光，通過光刻系統將掩...
網頁鏈接4月29日，中國科學院上海光機所林楠團隊在極紫外光刻（EUV）光源領域取得重大突破，成功開發出基於固體激光器的激光等離子體極紫外（LPP-EUV）光源，能量轉換效率達3.42%，超越國際頂尖水平，打破西方技術壟斷，為中國半導體產業叩開7納米以下先進製程大門。EUV技術：高端芯片製造的「金鑰匙」芯片是現代科技核心，EUV光刻技術是製造高端芯片的關鍵。其原理是利用13.5nm極紫外光，通過光刻系統將掩...
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