4月29日，中國科學院上海光機所林楠團隊在極紫外光刻（EUV）光源領域取得重大突破，成功開發出基於固體激光器的激光等離子體極紫外（LPP-EUV）光源，能量轉換效率達3.42%，超越國際頂尖水平，打破西方技術壟斷，爲中國半導體產業叩開7納米以下先進製程大門。

EUV技術：高端芯片製造的“金鑰匙”

芯片是現代科技核心，EUV光刻技術是製造高端芯片的關鍵。其原理是利用13.5nm極紫外光，通過光刻系統將掩模版電路圖案精確投影到硅片上。長期以來，EUV技術被國外壟斷，荷蘭ASML公司是全球唯一能生產商用EUV光刻機的企業。2019年美國實施出口管制後，ASML禁止向中國出售先進EUV光刻設備，制約中國高端芯片自主生產。

ASML技術路徑與林楠團隊創新

ASML技術路徑

：光源系統採用激光轟擊液態錫靶技術，效率僅0.02%；光學系統使用蔡司製造的多層鍍膜反射鏡，表面粗糙度0.1納米以內，反射率70%；精密製造層面，套刻精度達1.1納米，支持5納米以下製程。

林楠團隊技術路線

：採用固體脈衝激光器代替二氧化碳激光作爲驅動光源，通過優化激光峯值功率密度、改進激光脈衝控制算法和篩選靶材材料，實現光源能量轉換效率重大突破。3.42%的效率超越國際頂尖水平，達到商用光源轉化效率的一半。固體激光器體積小、電光轉換效率高（目前可達千瓦級輸出，未來有望達萬瓦級），理論最大效率接近6%，有望成爲新一代LPP-EUV光刻光源的驅動光源。

林楠的科研傳奇

林楠師從諾貝爾物理學獎得主Anne L’Huillier，在荷蘭ASML公司工作期間主導EUV光源研發核心項目。2021年，他放棄國外優厚待遇全職歸國，組建先進光刻研究小組，全身心投入EUV光刻技術攻堅。目前，他已申請/授權國際專利110餘項，多項專利實現產品轉化。

“跟跑”到“領跑”：中國半導體產業的機遇與挑戰

短期影響

：提振產業信心，國內企業有望擺脫對國外設備依賴，降低生產成本，提高產品競爭力。

長期影響

：帶動整個半導體產業鏈協同發展，吸引優秀人才投身產業，形成良好人才培養和創新生態。

挑戰

：儘管在光源上取得突破，但構建完整EUV生態系統仍是巨大挑戰。中國在EUV光學元件、光刻膠、對準系統等關鍵領域仍依賴進口。

EUV光學元件

：上海光機所離子束拋光技術實現反射鏡表面粗糙度低於0.1nm，接近ASML水平，但在鍍膜材料和工藝方面仍有差距。

EUV光刻膠

：國產化率不足1%，日本壟斷全球99%市場，國內在高端領域未取得突破，面臨配方、原料純度等難題。

對準系統

：中國電子科技集團研發的納米級同步定位技術，同步誤差控制在0.5nm以內，達到核心指標，但在整體集成和優化方面仍需努力。

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