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英特爾在加州聖何塞舉辦的代工業務2025活動中，交流了代工業務的最新進展，聚焦18A製程節點、先進封裝技術及生態系統建設。
英特爾18A以RibbonFET和PowerVia技術爲核心，預計2025年底實現高量產，Panther Lake和Clearwater Forest分別作爲客戶端和服務器端的首發產品。與此同時，EMIB 2.5D/3.5D和Foveros Direct等先進封裝技術爲AI芯片提供了高效解決方案。
我們從技術創新和生態系統戰略兩個維度，根據英特爾的思路來看看18A製程的突破、先進封裝，英特爾是否能在這個領域有所作爲。
Part 1
英特爾18A製程：
技術突破與市場競爭力
RibbonFET與PowerVia 英特爾18A製程（1.8nm等效）是其“五年四節點”計劃的巔峯之作，集成了RibbonFET柵極全環繞晶體管和PowerVia背面供電技術，成爲業界首款同時實現這兩項創新的製程。
◎ RibbonFET通過更精細的電流控制，顯著降低功耗泄漏，推動晶體管小型化；◎ PowerVia則通過背面供電優化信號路由，減少電阻，提升電源效率。
據英特爾數據，18A相較Intel 3在每瓦性能上提升約10%，晶體管密度提高15%-20%，爲AI計算提供了更高的性能與效率。
Panther Lake（AI PC處理器）和Clearwater Forest（服務器處理器）作爲18A的首發產品，已於2024年完成晶圓出廠併成功啓動操作系統，顯示出製程的健康狀態。
Panther Lake的DDR內存已達目標頻率，Clearwater Forest則結合Foveros Direct 3D封裝和Intel 3-T基底芯片，預計成爲業界首款高性能AI芯片，18A不僅適用於內部產品，還爲外部代工客戶提供了可靠平臺。
爲滿足多樣化市場需求，英特爾推出了18A-P和18A-PT兩種變體。
◎ 18A-P優化了性能與功耗平衡，適用於通用市場；◎ 18A-PT則新增了硅通孔（TSV），支持3D堆疊，專爲高性能AI芯片設計，預計與AMD Ryzen X3D等競爭。英特爾技術負責人Naga Chandrasekaran博士強調，18A-PT通過TSV提升了芯片間帶寬，適合複雜多芯片設計，爲大型AI芯片提供了領先的製程選擇。這種差異化策略使18A能夠覆蓋從消費級PC到數據中心的廣泛應用場景。
英特爾18A直接對標臺積電N2（2nm等效），預計2025年下半年量產，略晚於臺積電N2的2025年中期量產。
18A在背面供電技術上領先，臺積電需到A16節點（2026年底）才引入類似技術（Super Power Rail）。然而，臺積電N2在晶體管密度上略勝一籌，英特爾需通過18A的性能效率和生態系統優勢彌補差距。
英特爾聲稱18A的綜合性能優於臺積電3nm和2nm節點，尤其在功耗敏感的AI PC和服務器市場中更具競爭力。
快速推進新技術可能導致良率問題。英特爾首席技術官在活動中坦言，18A面臨“起伏”，需通過與Synopsys、Cadence等EDA夥伴的協同優化，提升良率和可製造性。
在代工模式下，低良率將直接增加客戶成本，可能削弱競爭力，Clearwater Forest推遲至2026年上半年，反映出複雜服務器芯片在驗證和量產上的挑戰。
Part 2
先進封裝與生態系統：
英特爾代工的差異化優勢
英特爾在先進封裝領域的創新爲其代工業務提供了獨特優勢。
◎ 嵌入式多芯片互連橋（EMIB）2.5D/3.5D技術通過硅橋實現高密度互連，相較傳統硅中介層可縮短數週製造時間，降低成本。
◎ EMIB-T（帶TSV的EMIB）進一步提升了帶寬，適用於邏輯與高帶寬內存（HBM）的複雜集成。◎ Foveros Direct 3D則通過無凸點銅對銅鍵合，實現更高密度的垂直堆疊，Clearwater Forest的五芯片設計（三計算芯片+兩IO芯片）便是其代表。
英特爾數據中心GPU Max系列SoC使用了EMIB 3.5D，集成了47個活躍瓦片、超1000億晶體管，展現了其在異構芯片設計上的領先能力。
此外，英特爾展示了12x光罩示例芯片，集成AI引擎、HBM5、PCIe Gen7和光學引擎，在AI芯片封裝上的前瞻性。
英特爾強調了生態系統的四大支柱：知識產權（IP）、可製造性設計、數字設計流程和良率設計。
Synopsys和Cadence在18A和14A的IP開發上取得了突破，Synopsys甚至表示，英特爾10nm工藝的複雜性已降至行業標準水平，標誌着其代工流程的成熟。
西門子EDA和PDF Solutions則分別優化了EMIB的可製造性和良率設計，確保外部客戶能夠無縫接入18A製程。
客戶方面，英特爾已贏得微軟、航天國防領域的Trusted Semiconductor Solutions及美國國防部RAMP-C項目的訂單。
傳言稱NVIDIA、Broadcom等ASIC客戶正在測試18A，驗證結果良好，顯示出市場對其潛力的認可。 英特爾預計2025年上半年首個外部客戶完成18A設計流片，2026年上半年進入高量產。
英特爾在亞利桑那、愛爾蘭、以色列等地擁有成熟的製造基地，並在新墨西哥和馬來西亞擴展先進封裝能力。
作爲美國唯一具備領先製程和封裝能力的本土供應商，英特爾在當前地緣政治緊張局勢下具有戰略優勢，尤其是在臺積電受限無法在美國生產最尖端技術的情況下。
◎ 英特爾與美國政府合作，通過RAMP-C項目爲國防工業提供安全供應鏈，進一步鞏固其在國家安全領域的地位。
◎ 英特爾展示了至2028年的製程路線圖，14A（1.4nm等效）預計帶來15%-20%的每瓦性能提升，採用第二代RibbonFET和PowerDirect背面供電技術。 高NA EUV設備的快速部署爲14A研發提供了保障。◎ 英特爾還計劃推出低成本Foveros和共封裝光學器件（CPO），以滿足AI芯片對高帶寬和低延遲的需求。
這些技術爲英特爾在AI時代保持競爭力奠定了基礎。
小結
18A的成敗與英特爾的未來，18A製程以RibbonFET和PowerVia爲核心，結合Panther Lake和Clearwater Forest的成功驗證，展現了英特爾在性能、效率和AI計算上的突破。
EMIB 2.5D/3.5D和Foveros Direct 3D等先進封裝技術，則爲複雜AI芯片提供了高效解決方案，彌補了製程密度上的劣勢，英特爾通過與Synopsys、Cadence等夥伴的協作，構建了成熟的代工生態系統，吸引了微軟、國防客戶乃至潛在的NVIDIA等行業巨頭。