上個月，臺積電在北美技術研討會上發佈了其最先進的A14工藝（1.4nm級），從命名到技術直接對標Intel 14A，後者同樣號稱1.4nm級工藝。臺積電承諾該技術將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較於其N2（2nm級）工藝帶來顯著提升。

臺積電聲稱，A14計劃於2028年投產，目前開發進展順利，良率已提前實現。ps. Intel 14A預計都將在2027年投入風險性試產，順利的話2028年就能量產。

隨後，有媒體專訪了臺積電業務開發資深副總裁張曉強，後者詳細分享了臺積電的3大技術路線。

據瞭解，臺積電將提供不同領先製程技術，再根據各細分市場進行客製化，成爲“所有人的晶圓代工廠”（Everyone's Foundry）。

換而言之，爲了滿足不同市場需求，臺積電將提供多種領先的製程技術，並圍繞三種方向調整其技術路線，分別是——先進的晶體管擴充、電源傳輸優化，以及多芯片（multi-chiplet）系統整合。

首先是追求最大晶體管密度、最高性能效率。

針對智能手機與PC這類產品，臺積電將提供N3P、N2、N2P與A14製程技術，針對“每瓦性能”進行最佳化，同時避免背面供電（backside power delivery）的複雜性與成本，使得移動與消費SoC在面積效率與電池續航間取得最佳平衡。

其次是以合理成本提供最佳電源，實現最高性能效率。

對於功耗一千瓦以上的數據中心處理器，臺積電計劃2026年底推出配備晶背供電（BSPDN）的A16，隨後在2029年推出配備超級電軌技術（Super Power Rail，簡稱SPR）的A14。

第三是適用數據中心的多芯片封裝解決方案。爲滿足數據中心等級AI基礎設施對多芯片封裝解決方案需求增加，臺積電已擴展其先進封裝技術組合，涵蓋硅光子與嵌入式電源組件，打造一體化、高帶寬、節能的系統方案。

張曉強認爲，製程從5nm發展到A14，目前看到的趨勢是，每代功耗效率降低約30%，並以每代20%左右的速度提高晶體管密度，效能則提升15%，與過往的進展基本上是一致的。

展望A14以下製程，張曉強表示臺積電也有信心延續這個趨勢，“從N2到A16的轉變相當大，臺積電完全有信心在2028年實現A14量產，實現大幅微縮，幫助客戶受益於製程技術本身的進步優勢。”

A14是臺積電的下一代製程技術。臺積電稱，其表現將明顯超越當前最先進的3nm製程，以及今年晚些時候即將量產的2nm製程。

據臺積電公佈的數據顯示，與N2工藝相比，A14將在相同功耗下實現高達15%的速度提升，或在相同速度下降低高達30%的功耗。

展望未來，臺積電還計劃依次推出A14P、A14X、A14C等多種版本的衍生製程，其中，A14P是包括背側電力供應在內的高性能版本，A14X和A14C將分別以性能最優化型和成本節省型模式進行優化。

此外，臺積電還計劃在2026年底推出A16（1.6nm級）製程技術。