在先進製程競賽中一向扮演領頭羊角色的臺積電，現在卻傳出，預計於2028年量產的A14製程，將不會採用業界矚目的High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻技術），而是持續依賴現有的0.33-NA EUV技術。外媒指出，臺積電是基於成本考量而做出此決定，不過這也意味着，將在18A製程中使用High-NA EUV的英特爾，反而更具有“技術”優勢。

《wccftech》報導，臺積電業務開發資深副總裁張曉強在北美技術研討會上透露，臺積電將不會使用高NA EUV曝光技術來對A14芯片進行圖案化，A14的生產計劃預計將於2028年開始，但並不仰賴High-NA技術，也能透過既有工具達到預期的製程複雜度與設計密度。他強調：“從2nm到A14，我們不一定要使用high-NA，但在處理步驟上，我們可以繼續維持類似的複雜度。我們每一代的技術製程都試圖將光罩數量增加控制在最低，這對成本效益至關重要。”

這項決策的關鍵在於“成本效益”。若使用High-NA EUV技術，製程成本可能比傳統EUV高出多達2.5倍，將大幅推升A14芯片的生產成本，進而影響其在消費性電子市場的普及速度。此外，A14 設計需多個光罩才能完成單層芯片設計，若使用High-NA，反而讓臺積電在成本增加的同時卻沒有獲得多少好處，性價比並不高。

相較之下，透過0.33-NA EUV並搭配多重曝光（multi-patterning）技術，能在不依賴極精準度工具的情況下維持設計複雜性，並使製造成本降低。

不過，這不代表臺積電將完全放棄High-NA技術，該公司預計在 2029年推出的A14P製程節點上，可能會導入High-NA EUV。 《wccftech》指出，英特爾正積極投入High-NA技術，計劃於2026年量產的18A製程中率先導入，這意味着臺積電使用High-NA的進程，將落後英特爾等對手至少四年。