芯聯集成電路申請 MEMS 器件製造方法專利,防止大面積的器件區的金屬結構被腐蝕

金融界
05-10

金融界 2025 年 5 月 10 日消息,國家知識產權局信息顯示,芯聯集成電路製造股份有限公司申請一項名爲“一種 MEMS 器件及其製造方法、電子裝置”的專利,公開號 CN119929736A,申請日期爲 2025 年 1 月。

專利摘要顯示,一種 MEMS 器件及其製造方法、電子裝置,該 MEMS 器件包括:第一半導體襯底和第二半導體襯底,第一半導體襯底和第二半導體襯底相鍵合,並在兩者之間設置有器件區;還包括擋液牆結構,擋液牆結構、第一半導體襯底和第二半導體襯底合圍成腔室單元,器件區對應設置於一個腔室單元內。在 MEMS 器件的製造過程中,即使在半導體襯底中產生了裂紋,順着裂紋進入器件區的腐蝕性液體由於擋液牆結構的阻擋,難以在多個器件區之間進行大面積的擴散,防止大面積的器件區的金屬結構被腐蝕,從而提升了整片半導體襯底的芯片良率。

天眼查資料顯示,芯聯集成電路製造股份有限公司,成立於2018年,位於紹興市,是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本704664.1萬人民幣。通過天眼查大數據分析,芯聯集成電路製造股份有限公司共對外投資了17家企業,參與招投標項目1692次,財產線索方面有商標信息3條,專利信息706條,此外企業還擁有行政許可40個。

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