金吾財訊 | 國金證券研報指，英諾賽科(02577)是一家致力於第三代半導體硅基氮化鎵（GaN-on-Si）研發與產業化的高新技術企業，採用IDM模式，集芯片設計、外延生長、芯片製造、封測於一體。公司產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的GaN功率器件，已在激光雷達、數據中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 照明驅動等應用與多家行業頭部企業開展深度合作並實現量產。GaN功率器件具有高頻、低損耗和高性價比等優勢，根據公司招股說明書，預計全球GaN功率器件市場將從2024年的32億元增長至2028年的501億元，CAGR=98.5%，而消費電子和電動汽車將成爲兩大主要應用場景。 該行指，公司在GaN行業保持領先的三大核心優勢：1）成本優勢；2）產能優勢；3）客戶和技術優勢。該行預測公司25~27年分別實現營收13.20/22.08/34.52億元，同比+59%/+67%/+56%，25-26年分別虧損5.65/1.45億元，25-26年分別減虧46%和74%，預計27年實現歸母淨利潤2.38億元（同比+265%）。公司的市佔率行業領先，IDM模式能夠更好的實現協同作用，未來有望率先受益於GaN滲透率的提升，給予2025年35xPS，目標價52.55港幣，首次覆蓋給予“買入”評級。