近期，碳化硅（SiC）技術領域迎來了諸多創新突破，衆多企業紛紛在專利方面取得顯著成果。這些專利不僅涵蓋了材料生長、器件製造、加工工藝等多個環節，還體現了碳化硅技術在新能源汽車、電力電子、半導體等領域的廣泛應用前景。

1、比亞迪：優化外延生長工藝設計

5月13日，比亞迪 獲得了一項名爲“碳化硅外延生長環和碳化硅外延生長裝置”的實用新型專利授權。該專利通過獨特的外延生長環設計，有效解決了碳化硅襯底在生長過程中的定位和保護問題，顯著降低了外延片的背面霧化面積，提高了霧化良率。這一技術突破對於提升碳化硅器件的生產效率和質量具有重要意義，進一步鞏固了比亞迪在新能源汽車功率半導體領域的技術優勢。

2、昂拓科技：創新超聲加工裝置

5月12日，昂拓科技（蘇州）有限公司披露了一項名爲“一種碳化硅材料超聲波加工裝置”的專利（公開號CN119952542A）。該發明涉及超聲波加工設備領域，通過創新性地取消了氣缸等外部運動部件和PLC設置，並採用U字形刀夾套接刀柄，將供電模塊直接貼設於刀柄並通過固定工裝連接至機牀主軸下方。這種設計簡化了設備結構，減少了接觸面積和潛在干涉，並省去了多項檢測步驟，旨在提高碳化硅材料的超聲波加工效率和實用性。

3、晶盛機電：聯合創新激光切割與坩堝技術

5月8日消息，浙江求是半導體設備有限公司、浙江晶瑞電子材料有限公司、浙江晶盛機電股份有限公司 共同申請了“碳化硅晶錠激光切割方法及切割系統”的專利(CN119927468A)。該專利提出了一種新的激光切割方法，通過增設第二光束以相位調製的方式跟隨第一光束同步掃描，產生的壓應力可以抵消原有拉應力，以抑制裂紋擴展，從而降低碳化硅晶錠激光切割的損耗。

4月29日消息，國家知識產權局信息顯示，晶盛機電和寧夏創盛新材料科技共同申請了“石墨坩堝及其製備方法與應用”專利(CN119874408A)。該專利涉及一種石墨坩堝的製備方法，通過控制碳源、一元醇和水的比例以及加熱溫度，製備的石墨坩堝在合成碳化硅粉體時，可以有效隔離石墨坩堝和碳化硅粉體，防止二者粘連。

4、寧德時代：研發新型硅碳複合材料

近期，寧德時代申請了一項關於硅碳材料及其製備方法與二次電池及用電裝置的專利（公開號CN119833588A）。該專利公開了一種新型硅碳複合材料，其特徵在於包含具有貫通孔的多孔碳材料，位於貫通孔內的納米硅晶粒，以及部分位於貫通孔壁且尺寸不小於多孔碳材料平均孔徑的碳化硅材料層。該硅碳材料旨在作爲二次電池負極活性材料，以改善電池的循環性能。

5、聖艾克半導體：研製高效研磨設備

4月24日，聖艾克半導體（蘇州）有限公司獲得了一項名爲“一種碳化硅研磨設備”的專利。該專利提供了一種高效、精確的研磨設備，能夠有效提高碳化硅材料的加工精度和表面質量。該技術對於碳化硅襯底的後續加工和器件製造具有重要意義，有助於提升碳化硅器件的整體性能和可靠性。

6、泰科天潤：優化碳化硅VDMOS結構

4月16日，國家知識產權局披露，泰科天潤獲得名爲“一種抑制雙極退化的溝槽柵碳化硅VDMOS及其製備方法”（專利號CN119403163B）的專利授權。該專利專注於提升平面柵碳化硅VDMOS器件的可靠性，尤其針對柵極可靠性和體二極管性能進行了優化。通過特定的襯底處理、外延生長以及多層阻擋層的運用和刻蝕、離子注入等工藝，該方法旨在改善器件的續流損耗和反向恢復速度，從而提高整體性能。

7、斯達半導：創新雙工作模式SiC功率器件

4月18日，斯達半導獲得一項關於雙工作模式碳化硅功率器件結構及其製作方法的發明專利授權。該專利的核心在於設計了一種能夠同時以雙極型（Bipolar）和金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）兩種模式工作的碳化硅功率器件。值得一提的是，該器件的製造工藝與標準的碳化硅MOSFET流程基本兼容，無需增加額外的複雜步驟。通過這種巧妙的結構設計，斯達半導的這項技術旨在使功率器件能夠在不同的應用場景下靈活切換工作模式，從而兼具雙極型器件的低導通損耗和MOSFET器件的高開關速度優勢，最終提升整體的功率轉換效率和系統性能。

8、重慶青山：集成SBD於SiCMOSFET元胞

近期，重慶青山工業有限責任公司公開了一項名爲“一種集成SBD碳化硅MOSFET元胞結構及製備方法”的專利（公開號CN119967866A）。該發明通過在碳化硅MOSFET元胞結構中集成肖特基勢壘二極管（SBD），並在不增加元胞尺寸的前提下進行結構優化，實現了更高的芯片溝道密度和更小的導通電阻，從而降低導通損耗，並在保證較低續流電壓的同時提高了芯片的導通效率

（集邦化合物半導體 王奇 整理）更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公衆賬號：集邦化合物半導體。<< <點擊文字： 2025集邦諮詢半導體產業高層論壇 查看TSS2025更多詳情