作者 |藍血創作組

來源 | 藍血研究（lanxueyanjiu)

近日，雷軍宣佈小米自研設計手機SoC芯片“玄戒O1”即將發佈的消息，引發大量關注。據觀察者網報道，玄戒O1採用的是3nm製程，遠超市場預期。

衆多網友好奇：14nm以下製程的芯片讓臺積電代工需要獲得美國BIS許可，小米是搞定了BIS許可，還是國內搞定了3nm製程？以下從多個角度綜合分析可能的解決方案：

1. 美國BIS許可的可能性分析

美國商務部工業與安全局（BIS）對先進製程代工的限制主要針對AI芯片和數據中心產品，而消費級手機SoC若滿足以下條件可豁免：

晶體管數量限制：根據2025年1月BIS最新規則，封裝內晶體管數量低於300億個（2029年後放寬至400億）且不含高帶寬存儲器（HBM）的芯片不受限。玄戒O1的晶體管數量爲190億個，遠低於閾值，理論上無需BIS許可。

技術分類：BIS限制重點在“16/14nm以下製程用於AI或超算領域”，而手機SoC屬於消費電子，未被明確列入管制清單。

結論：小米可能無需專門申請BIS許可，因玄戒O1符合豁免條件。

2. 臺積電代工的可行性

臺積電是全球少數具備3nm量產能力的代工廠，但其技術出口受多重限制：

臺灣地區“N-1”政策：2025年底生效的新規要求臺積電海外工廠技術落後島內一代（如島內量產2nm時，海外僅能用3nm）。但玄戒O1採用臺積電第二代3nm工藝（N3P或N3E），若流片時間早於政策生效（2024年已完成流片），可能規避限制。

地緣政治風險：臺積電美國工廠主要服務蘋果、英偉達等客戶，且3nm產能優先滿足大客戶需求。小米若通過大陸或臺灣本地訂單獲取產能，可能減少政治干預風險。

結論：臺積電代工仍是小米最可能的選擇，且政策窗口期和消費芯片屬性降低了合規難度。

3. 國產3nm製程的可能性

目前中國大陸的半導體制造能力尚未突破3nm：

中芯國際技術現狀：其最先進製程爲7nm（N+2工藝），3nm研發仍處於早期階段。小米流片成功的3nm芯片未披露代工廠，但業內普遍認爲中芯國際暫無量產能力。

供應鏈協同：小米與北方華創、中微公司等國產設備廠商合作，但封裝和測試環節的國產化替代（如長電科技）更現實，而非前端製造。

結論：國產3nm製程短期內無法支撐玄戒O1量產，代工仍需依賴臺積電。

4. 小米的策略與潛在風險

小米可能採取以下組合策略：

技術合規設計：通過控制晶體管規模、避免HBM集成，確保符合BIS豁免條款。

供應鏈多元化：與聯發科合作外掛基帶（降低SoC複雜度），同時通過玄戒子公司申請專利覆蓋封裝技術（如北京玄戒的芯片封裝專利），減少對單一代工廠依賴。

政策窗口利用：在臺灣地區“N-1”政策生效前完成流片和初期量產。

風險：若臺積電後續被施壓限制代工，或國產3nm進展不及預期，可能影響長期產能。

5. 行業意義與未來展望

玄戒O1的突破主要體現在設計端，而非製造端：

設計能力：小米成爲全球第四家（僅次於蘋果、高通、聯發科）掌握3nm手機SoC設計的企業，填補了大陸5nm以內設計經驗空白。

產業鏈拉動：推動國產EDA工具、封裝測試技術進步，但製造環節仍需依賴外部。

未來若中芯國際突破3nm，小米或轉向“設計+國產製造”模式，但目前仍需依賴臺積電。

6．最終結論

小米玄戒O1的3nm製程大概率通過臺積電代工實現，且因符合BIS豁免條件（消費芯片、晶體管數量達標）無需額外許可。國產3nm製程尚未成熟，短期內無法替代。