當地時間5月21日，納微半導體宣佈與英偉達達成戰略合作，共同開發基於氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的800V高壓直流（HVDC）電源架構，該技術將率先應用於英偉達下一代AI數據中心及Rubin Ultra計算平臺。

圖片來源：納微半導體

當前數據中心普遍採用54V低壓配電系統，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨着AI算力需求激增，單個機架功率突破200kW時，傳統架構面臨效率下降、銅材消耗劇增等物理極限問題。800V架構通過減少銅材使用量45%、降低電流傳輸損耗，可支撐吉瓦級AI計算負載。

根據納微半導體官方披露，其GaNFast氮化鎵功率芯片與GeneSiC碳化硅技術將在合作中發揮核心作用。其GaNFast™功率芯片集成驅動、控制與保護功能，支持高達800V的瞬態電壓，並通過GaNSense™技術實現超高功率密度（92.36W/cm³）和97.9%的半載效率，顯著優化了數據中心的能源利用率。

英偉達規劃顯示，該架構將直接服務於其“Kyber”機架級電力系統，配套維諦技術計劃於2026年推出的800VDC電源產品組合，包括集中式整流器、高效直流母線槽及機架級DC-DC轉換器。

800V高壓技術的應用不僅限於數據中心。新能源汽車領域已率先佈局800V平臺，以解決充電速度與續航焦慮。例如，保時捷、小鵬、比亞迪等車企已推出相關車型，帶動碳化硅器件需求激增。

英偉達與納微半導體的合作，將AI計算需求與功率半導體創新深度綁定。從數據中心到電動汽車，800V高壓架構正成爲提升能效、突破功率密度的核心路徑。隨着技術成熟與產業鏈協同，這一架構或將重新定義全球半導體及新能源產業格局。

此前5月5日，納微半導體公佈了截至2025年3月31日的未經審計的2025年第一季度財務業績。數據顯示，納微半導體2025年第一季度總收入爲1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。

圖片來源：納微半導體公告截圖

納微半導體表示預計2025年第二季度淨營收爲1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預計爲38.5%，上下浮動0.5%，非GAAP運營費用預計約爲1,550萬美元。

稍早一些3月，納微半導體發佈了全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅動器。4月，納微半導體宣佈與兆易創新科技集團股份有限公司正式達成戰略合作伙伴關係。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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