當地時間5月21日，納微半導體宣佈與英偉達達成戰略合作，共同開發基於氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的800V高壓直流（HVDC）電源架構，該技術將率先應用於英偉達下一代AI數據中心及Rubin Ultra計算平台。圖片來源：納微半導體當前數據中心普遍採用54V低壓配電系統，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨着AI算力需求激增，單個機架功率突破200kW時，傳統架構面臨...
網頁鏈接當地時間5月21日，納微半導體宣佈與英偉達達成戰略合作，共同開發基於氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的800V高壓直流（HVDC）電源架構，該技術將率先應用於英偉達下一代AI數據中心及Rubin Ultra計算平台。圖片來源：納微半導體當前數據中心普遍採用54V低壓配電系統，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨着AI算力需求激增，單個機架功率突破200kW時，傳統架構面臨...
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