英諾賽科(2577.HK)一度大漲超19.5%，最高觸及41港元，創月內新高。消息面上，納微半導體宣佈與英偉達合作開發下一代800伏高壓直流(HVDC)架構，爲包括Rubin Ultra在內的GPU提供支持的“Kyber”機架級系統供電。納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術可在一定程度上大幅提升“Kyber”機架級系統的能效比、散熱管理和系統可靠性。

而英諾賽科致力於第三代半導體硅基氮化鎵(GaN-on-Si)研發與產業化，上月發佈了自主開發的1200V氮化鎵(GaN)產品，在高壓高頻場景優勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優勢。此外，國金證券發佈研報，首次覆蓋英諾賽科並給予“買入”評級，指公司在GaN行業保持領先的三大核心優勢：1)成本優勢；2)產能優勢；3)客戶和技術優勢。公司的市佔率行業領先，IDM模式能夠更好的實現協同作用，未來有望率先受益於GaN滲透率的提升。