(原標題:英特爾先進封裝,新突破)
如果您希望可以時常見面,歡迎標星收藏哦~
來源:內容編譯自tomshardware 。
EMIB-T脫穎而出。
圖片來源:Tom's Hardware
英特爾在電子元件技術大會 (ECTC) 上披露了多項芯片封裝技術突破,概述了多種新型芯片封裝技術的優勢。我們採訪了英特爾院士兼基板封裝開發副總裁 Rahul Manepalli 博士,深入瞭解了其中三種新型封裝技術:EMIB-T,用於提升芯片封裝尺寸和供電能力,以支持 HBM4/4e 等新技術;一種全新的分散式散熱器設計;以及一種全新的熱鍵合技術,可提高可靠性和良率,並支持更精細的芯片間連接。英特爾還參與了此次大會上發表的另外 17 篇新論文的發表。
英特爾代工廠旨在利用尖端工藝節點技術,爲英特爾內部和外部公司生產芯片。然而,現代處理器越來越多地採用複雜的異構設計,將多種類型的計算和內存組件集成到單個芯片封裝中,從而提升性能、成本和能效。這些芯片設計依賴於日益複雜的先進封裝技術,而這些技術是異構設計的基石。因此,爲了與臺積電等競爭對手保持同步,英特爾必須持續發展。
英特爾的新型 EMIB-T 最初 於上個月的英特爾 Direct Connect 活動上 發佈,它將硅通孔 (TSV) 融入其已經廣泛使用的EMIB 技術中 ——一種嵌入封裝基板的硅橋,可在芯片/裸片之間提供通信和電源管道。
EMIB 的下一代技術提升了關鍵的封裝供電效率指標,並加快了芯片間通信速度。EMIB-T 可用於更有效地爲計算和內存組件供電——標準 EMIB 連接由於採用懸臂式供電路徑而存在高電壓降問題,而 EMIB-T 利用 TSV 從芯片封裝底部通過 TSV 橋接芯片進行供電,從而實現了直接、低電阻的供電路徑,這對於 HBM4/4e 集成至關重要。
當然,TSV 的使用也提升了芯片間的通信帶寬,從而能夠集成高速 HBM4/4e 內存封裝,並使用UCIe-A 互連技術,將數據傳輸速率提升至 32 Gb/s 或更高。通過同一接口傳輸電源和信號會在信號路徑中引入“噪聲”,但英特爾在橋接器中集成了高功率 MIM 電容器,有助於確保通信信號的一致性。
EMIB-T 還能實現更大的芯片封裝尺寸,達到 120x180 毫米,並在單個大型芯片封裝中支持超過 38 個橋接器和超過 12 個矩形大小的裸片。此外,第一代 EMIB 實現了 55 微米的凸塊間距(這是一個關鍵的互連密度指標),而第二代 EMIB 則縮小至 45 微米間距。英特爾的論文展示了一種間距爲 45 微米的 EMIB-T 設計,但指出新技術支持“遠低於”45 微米的間距,並表示將很快支持 35 微米間距,並且 25 微米間距的間距正在開發中。英特爾尚未公佈皮焦/位 (pJ/bit) 的功率效率指標。EMIB-T 還兼容有機或玻璃基板,其中玻璃基板是英特爾未來芯片封裝業務的關鍵戰略方向。
人工智能革命正在將芯片封裝尺寸推向新的高度,隨之而來的是功耗的增加,帶來了棘手的散熱挑戰。英特爾還披露了一種全新的分解式散熱器技術,該技術將散熱器分解成平板和加強筋,以改善散熱器與位於散熱器和底層芯片之間的熱界面材料 (TIM) 之間的耦合。除其他優勢外,該技術還有助於將 TIM 耦合焊料中的空隙減少 25%。
英特爾的圖示展示了一款集成微通道的散熱器,液體可直接通過IHS冷卻處理器,就像我們在Direct Connect活動上看到的一樣。雖然該論文重點討論了將散熱器拆分成多個部分的影響,但這項技術可以冷卻TDP高達1000W的處理器封裝,凸顯了英特爾正在從多個角度解決芯片冷卻問題。
英特爾在其服務器和消費產品中都採用了熱壓粘合技術;然而,它現在已經開發出一種專門針對大型封裝基板的新型熱壓粘合工藝,有助於克服粘合過程中的芯片和基板翹曲。
這項新技術最大限度地減少了鍵合過程中封裝基板和芯片之間的熱差,從而提高了良率和可靠性指標,並實現了比目前大批量生產中更大的芯片封裝。它還能實現更精細的EMIB連接間距,有助於從EMIB-T技術中榨取更高的密度。
擁有一套完善且具有競爭力的封裝技術對於英特爾代工廠至關重要,因爲它致力於爲客戶提供儘可能全面的芯片生產選擇。先進的芯片封裝技術使客戶能夠將來自多家供應商的不同類型的芯片(例如 CPU、GPU 和內存)集成到單個封裝中,從而降低所有組件完全過渡到英特爾工藝節點的風險。事實上,英特爾還爲完全不使用任何英特爾製造組件的芯片提供封裝服務,這有助於其芯片製造服務與潛在的新客戶建立關係。
芯片封裝也已成爲英特爾外部客戶的領先服務之一,目前這些客戶包括AWS、思科等行業巨頭,以及美國政府的RAMP-C和SHIP項目。這些封裝合同是英特爾代工廠創收的最快途徑,因爲生產採用尖端工藝節點的芯片需要更長的交付週期。
https://www.tomshardware.com/pc-components/cpus/intel-details-new-advanced-packaging-breakthroughs-emib-t-paves-the-way-for-hbm4-and-increased-ucie-bandwidth
半導體精品公衆號推薦
專注半導體領域更多原創內容
關注全球半導體產業動向與趨勢
*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。
今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4051期內容,歡迎關注。
‘半導體第一垂直媒體’
實時 專業 原創 深度
公衆號ID:icbank
喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦