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21世紀經濟報道記者孫燕 上海報道

近日，浙江力積存儲科技股份有限公司（以下簡稱“力積存儲”）遞表港交所。

力積存儲成立於2020年，並非存儲芯片老兵。2020年，該公司創始人應偉收購了有20多年曆史的Zentel Japan的大部分股權，進入利基DRAM（動態隨機存取存儲器）市場。

在全球集成電路市場中，存儲芯片是規模僅次於邏輯芯片的第二大細分領域。DRAM是存儲芯片中最大的細分市場，可以分爲主流DRAM和利基DRAM，力積存儲專注於利基DRAM市場。

存儲芯片行業具有強週期性。從力積存儲成立以來的時間看，DRAM市場經歷了顯著的週期性波動：2020年，全球DRAM市場規模爲4624億元。受消費電子DRAM需求激增驅動，市場規模於2021年增長至6124億元。而由於庫存積累，疊加下游消費電子領域需求疲軟，2023年市場規模回落至3654億元。2024年，隨着服務器需求的激增、消費電子的復甦以及技術升級，市場規模回升至6979億元。

2025年以來，在AI和HBM需求的帶動下，DRAM市場進一步增長。

巧合的是，近日，同樣主攻利基DRAM市場的兆易創新（603986.SH）也啓動了港股上市之路。兩家企業接連赴港，也是對行業趨勢的積極回應。

在研高帶寬堆疊DRAM

力積存儲的主要產品包括內存芯片、內存模組、內存KGD晶圓以及AI存算解決方案，產品可應用於消費類電子、網絡通信、汽車電子、能源及工業控制系統等領域。

該公司設計的內存芯片廣泛應用於嵌入式系統：商業級內存芯片主要應用於消費電子和網絡通信（如機器人、智能音響及Wi-Fi設備等），工業級內存芯片則專爲更高要求的工業控制應用服務，確保在極端使用條件下的穩定性和長壽命。

力積存儲的收入主要來自內存芯片。2022年、2023年、2024年，該公司的內存芯片收入分別爲5.37億元、4.84億元、4.54億元，佔當年收入的88.2%、83.5%、70.2%。

此外，力積存儲的收入還來自內存模組、內存KGD晶圓：內存模組由存儲芯片顆粒與PCB主板經過精密封裝工藝整合而成，廣泛應用於高端運算產品，如行業級PC和企業級服務器等；該公司還爲SoC廠商提供定製化內存KGD晶圓。

根據弗若斯特沙利文的資料，按2024年利基DRAM收入計，力積存儲在全球利基DRAM市場的中國內地公司中排名第四。

招股書顯示，力積存儲正在開發一系列AI存算解決方案，包括高帶寬3D堆疊內存芯片、以內存爲中心的高帶寬內存芯片、用於人工智能應用及高級封裝技術的硅中介層，以解決數據密集型人工智能應用中的存儲瓶頸問題。

其中，高帶寬堆疊DRAM是一種基於堆疊技術的內存產品。這是一種先進封裝集成解決方案，通過TSV和混合鍵合等封裝級堆疊工藝，實現多層內存芯片的立體互連。憑藉超寬總線和堆疊結構，該技術可交付高容量、高帶寬內存性能，有效緩解處理器與內存間的帶寬瓶頸，在更小面積內實現集成度、性能與能效的同步提升，同時降低延遲與功耗。因此，高帶寬堆疊DRAM適合應用於對內存性能要求高的人工智能領域。

近期，多家本土DRAM企業已公佈高帶寬堆疊DRAM的研發成果。招股書預計，在人工智能產業的爆發式增長推動下，高帶寬堆疊DRAM市場增速將顯著超越DRAM整體市場。

力積存儲也在招股書中表示，港股IPO募集資金擬用於擴充高帶寬存儲產品及內存產品研發團隊等。

去年虧損收窄

2022年、2023年、2024年，力積存儲分別實現收入6.1億元、5.8億元、6.46億元。

儘管收入有所增長，但在2022年、2023年、2024年，力積存儲的淨虧損分別爲1.39億元、2.44億元、1.09億元。該公司表示，2023年淨虧損增加，主要是該年產生大量股份支付費用。

對於持續虧損，力積存儲解釋道，該公司優先擴大業務規模、市場份額以搶佔市場機遇，而非追求短期盈利；另外在原材料方面，2022年全球半導體行業晶圓階段性短缺導致價格飛漲，該公司在2022年市場價格下跌前簽約採購的晶圓單價較高。

從毛利率看，2022年、2023年、2024年，力積存儲的毛利率分別爲-2.1%、3.7%、9.3%，由負轉正。

研發費用方面，2022年、2023年、2024年，力積存儲的研發開支分別爲0.74億元、0.77億元及0.96億元，分別佔各年收入的12.1%、13.3%及14.8%。

民生證券研究指出，製程升級、產品差異化是利基型DRAM廠商競爭核心。

值得一提的是，2025年4月，力積存儲與該公司晶圓代工廠力積電簽署了基於19納米及以下製程開發內存產品的合作協議。力積存儲預計，該項目達成後將成爲中國國內芯片設計公司目前可用的最先進製程。

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