金融界2025年6月2日消息，國家知識產權局信息顯示，山東漢旗科技有限公司申請一項名為「一種多芯片MOS集成封裝結構」的專利，公開號CN120072808A，申請日期為2025年02月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種多芯片MOS集成封裝結構，屬於芯片封裝技術領域，包括，盒體，所述盒體的左側開設有封裝腔，所述封裝腔內側活動連接有承載器，所述承載器的裝配槽內部安裝有PCB板，所述PCB板上安裝有若干組芯片，所述承載器上安裝有存取組件，該多芯片MOS集成封裝結構，設定有散熱翅一與散熱翅二能夠通過固定組件工作與PCB板貼緊，從而會將PCB板與芯片工作時所散發出的熱量進行吸收，散熱翅一與散熱翅二將熱量吸收的同時風機工作時能夠通過通風槽一與通風槽二之間的連通將吸收的熱量排出盒體，方便散熱翅一與散熱翅二能夠對PCB板上部與下部形成一個完整的散熱通道，提高PCB板與芯片的散熱效果，降低散熱成本。