金融界2025年6月5日消息，國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名爲“一種半導體存儲裝置的製備方法”的專利，公開號CN120091563A，申請日期爲2025年02月。專利摘要顯示，本發明提供了一種半導體存儲裝置的製備方法，應用於半導體制備技術領域。在本發明中，通過不設置光阻層和光罩，以對整個基底進行第一次離子注入的方式，以達到縮減形成第一阱區和第二阱區的光罩、光刻等...
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