（信息來源：tomshardware）美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據《日經亞洲》報道，這兩家行業巨頭聯合成立了一家名爲 Saimemory 的公司，致力於基於英特爾的技術與東京大學等日本高校的專利，共同打造原型芯片。該公司計劃於 2027年完成原型開發並評估量產可行性，目標是在 2030年前實現商業化。目前，大多數AI...
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